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FCW301Z	文件：485.5 Kbytes Page：7 Pages	FLASHLEDDEVICE	SEOUL Seoul Semiconductor Co., Ltd.	SEOUL
FDB301	文件：256.829 Kbytes Page：1 Pages	3AMPFASTRECOVERYBRIDGERECTIFIERS	DEC DIOTEC Electronics Corporation	DEC
FDR301	文件：209.56 Kbytes Page：3 Pages	SiliconHot??arrierDiodesSchottkyBarrierDiodes	FS First Silicon Co., Ltd	FS
FDR301U	文件：184.64 Kbytes Page：3 Pages	SiliconHot??arrierDiodes	FS First Silicon Co., Ltd	FS
FDV301N	文件：97.95 Kbytes Page：5 Pages	DigitalFET,N-Channel GeneralDescription ThisN-ChannellogiclevelenhancementmodefieldeffecttransistorisproducedusingFairchildsproprietary,highcelldensity,DMOStechnology.Thisveryhighdensityprocessisespeciallytailoredtominimizeon-stateresistance.Thisdevicehasbeendesignedespeciallyfor	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半導(dǎo)體飛兆/仙童半導(dǎo)體公司	Fairchild
FDV301N	文件：1.82926 Mbytes Page：4 Pages	N-ChannelMOSFET	KEXINGuangdong Kexin Industrial Co.,Ltd 科信電子廣東科信實(shí)業(yè)有限公司	KEXIN
FDV301N	文件：390.31 Kbytes Page：7 Pages	LoadSwitchforPortableApplications FEATURES VDS(V)=20V ID=6A(VGS=10V) RDS(ON)	UMWGuangdong Youtai Semiconductor Co., Ltd. 友臺(tái)半導(dǎo)體廣東友臺(tái)半導(dǎo)體有限公司	UMW
FDV301N	文件：306.28 Kbytes Page：7 Pages	MOSFET FEATURES VDS(V)=20V ID=6A(VGS=10V) RDS(ON)	EVVOSEMIEVER SEMICONDUCTOR CO.,LIMITED 翊歐翊歐半導(dǎo)體	EVVOSEMI
FDV301N-NL	文件：1.88305 Mbytes Page：9 Pages	N-Channel20V(D-S)MOSFET	VBSEMIVBsemi Electronics Co.,Ltd 微碧半導(dǎo)體微碧半導(dǎo)體（臺(tái)灣）有限公司	VBSEMI
FDY301NZ	文件：191.43 Kbytes Page：6 Pages	SingleN-Channel2.5VSpecifiedPowerTrenchMOSFET	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半導(dǎo)體飛兆/仙童半導(dǎo)體公司	Fairchild
FFM301	文件：69.8 Kbytes Page：2 Pages	Fastrecoverytype 3.0ASurfaceMountFastRecoveryRectifiers-50-1000V Features ?Batchprocessdesign,excellentpowerdissipationoffersbetterreverseleakagecurrentandthermalresistance. ?Lowprofilesurfacemountedapplicationinordertooptimizeboardspace. ?Highcurrentcapability. ?Fastswitchi	FORMOSAFormosa MS 美麗微半導(dǎo)體美麗微半導(dǎo)體股份有限公司	FORMOSA
FFM301	文件：82.53 Kbytes Page：2 Pages	SurfaceMountFastRecoveryRectifiers Features: PlasticpackagehasUnderwritersLaboratory FlammabilityClassication94V-OUtilizingFlame RetardantEpoxyMoldingCompound. Forsurfacemountedapplications. ExceedsenvironmentalstandardsofMIL-S-19500/228 Lowleakagecurrent.	WEITRON Weitron Technology	WEITRON
FFM301	文件：24.18 Kbytes Page：2 Pages	SURFACEMOUNTGLASSPASSIVATEDFASTRECOVERYSILICONRECTIFIER(VOLTAGERANGE50to1000VoltsCURRENT3.0Amperes)	RECTRON Rectron Semiconductor	RECTRON
FFM301	文件：316.388 Kbytes Page：2 Pages	3A50VFastrecoverydiode	SUNMATESUNMATE electronic Co., LTD 森美特森美特半導(dǎo)體股份有限公司 PDF上傳者：深圳市福田區(qū)吉富昌電子商行	SUNMATE
FFM301	文件：316.388 Kbytes Page：2 Pages	SURFACEMOUNTFASTRECOVERYRECTIFIERDIODES	SUNMATESUNMATE electronic Co., LTD 森美特森美特半導(dǎo)體股份有限公司 PDF上傳者：深圳市福田區(qū)吉富昌電子商行	SUNMATE
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FFM301	文件：587.84 Kbytes Page：2 Pages	SURFACEMOUNTFASTRECOVERYRECTIFIER FEATURES ●TheplasticpackagecarriesUnderwritersLaboratoryFlammabilityClassification94V-0 ●Forsurfacemountedapplications ●Fastswitchingforhighefficiency ●Lowreverseleakage ●Built-instrainrelief,idealforautomatedplacement ●Highforwardsurgecurrentcapability ●Hig	DIOTECH Diotech Company.	DIOTECH
FFM301	文件：90.59 Kbytes Page：2 Pages	Fastrecoverytype	WINNERJOINSHENZHEN YONGERJIA INDUSTRY CO.,LTD 永而佳實(shí)業(yè)深圳市永而佳實(shí)業(yè)有限公司	WINNERJOIN
FFM301	文件：314.44 Kbytes Page：2 Pages	SURFACEMOUNTFASTRECOVERYRECTIFIERDIODES Features ●GlassPassivatedDieConstruction ●FastRecoveryTimeforHighEfficiency ●LowForwardVoltageDropandHighCurrentCapability ●IdeallySuitedforAutomaticAssembly ●PlasticMaterial:ULFlammabilityClassificationRating94V-0	SUNMATESUNMATE electronic Co., LTD 森美特森美特半導(dǎo)體股份有限公司	SUNMATE
FFM301	文件：1.01406 Mbytes Page：2 Pages	3.0ASUFRACEMOUNTFASTRECOVERYRECTIFIERS-50-1000V FEATURES Glasspassivateddevice Idealforsurfacemountedapplications Lowleakagecurrent Metallurgicallybondedconstruction *Mountingposition:Any	WILLASWILLAS ELECTRONIC CORP 威倫威倫電子股份有限公司	WILLAS

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更多FAN301HLMYF供應(yīng)商更新時(shí)間2025-1-19 14:08:00

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