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FCP190N60E

isc N-Channel MOSFET Transistor

FEATURES ·DrainCurrent:ID=20.6A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage :VDSS=600V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance :RDS(on)=0.19Ω(Max)@VGS=10V ·100avalanchetested ·MinimumLot-to-Lotvariationsforrobustdevice performanceandreliableoperation DESCRIPTION ·motordrive,D

ISCInchange Semiconductor Company Limited

無錫固電無錫固電半導體股份有限公司

FCP190N60E

600V N-Channel MOSFET

Description SuperFET?IIMOSFETisFairchildSemiconductor’sbrand-newhighvoltagesuper-junction(SJ)MOSFETfamilythatisutilizingchargebalancetechnologyforoutstandinglowon-resistanceandlowergatechargeperformance.Thistechnologyistailoredtominimizeconductionloss,provides

FairchildFairchild Semiconductor

仙童半導體飛兆/仙童半導體公司

FCP190N60E

DESIGN/PROCESS CHANGE NOTIFICATION

Description SuperFET?IIMOSFETisFairchildSemiconductor?’sfirstgenerationofhighvoltagesuper-junction(SJ)MOSFETfamilythatisutilizingchargebalancetechnologyforoutstandinglowon-resistanceandlowergatechargeperformance.Thisadvancedtechnologyistailoredtominimizeconducti

FairchildFairchild Semiconductor

仙童半導體飛兆/仙童半導體公司

FCP190N60E

FCP190N60E / FCPF190N60E N-Channel SuperFET II Easy-Drive MOSFET 600 V, 20.6 A, 190 m廓

FairchildFairchild Semiconductor

仙童半導體飛兆/仙童半導體公司

FCPF190N60

iscN-ChannelMOSFETTransistor

ISCInchange Semiconductor Company Limited

無錫固電無錫固電半導體股份有限公司

FCPF190N60

DESIGN/PROCESSCHANGENOTIFICATION

Description SuperFET?IIMOSFETisFairchildSemiconductor?’sfirstgenerationofhighvoltagesuper-junction(SJ)MOSFETfamilythatisutilizingchargebalancetechnologyforoutstandinglowon-resistanceandlowergatechargeperformance.Thisadvancedtechnologyistailoredtominimizeconducti

FairchildFairchild Semiconductor

仙童半導體飛兆/仙童半導體公司

FCPF190N60

600VN-ChannelMOSFET

FairchildFairchild Semiconductor

仙童半導體飛兆/仙童半導體公司

FCPF190N60

FCP190N60/FCPF190N60N-ChannelSuperFETIIMOSFET600V,20.2A,199m廓

FairchildFairchild Semiconductor

仙童半導體飛兆/仙童半導體公司

FCPF190N60

N-ChannelSuperFETIIMOSFET

FairchildFairchild Semiconductor

仙童半導體飛兆/仙童半導體公司

FCPF190N60E

iscN-ChannelMOSFETTransistor

ISCInchange Semiconductor Company Limited

無錫固電無錫固電半導體股份有限公司

詳細參數(shù)

  • 型號：

    FCP190N60E

  • 功能描述：

    MOSFET 600V N-CHAN MOSFET

  • RoHS：

    否

  • 制造商：

    STMicroelectronics

  • 晶體管極性：

    N-Channel

  • 汲極/源極擊穿電壓：

    650 V

  • 閘/源擊穿電壓：

    25 V

  • 漏極連續(xù)電流：

    130 A 電阻汲極/源極

  • RDS（導通）：

    0.014 Ohms

  • 配置：

    Single

  • 安裝風格：

    Through Hole

  • 封裝/箱體：

    Max247

  • 封裝：

    Tube

供應商型號品牌批號封裝庫存備注價格
onsemi
24+
TO-220-3
30000
晶體管-分立半導體產(chǎn)品-原裝正品
 詢價
FAIRCHILD/仙童
24+
TO-220-3
3580
原裝現(xiàn)貨/15年行業(yè)經(jīng)驗歡迎詢價
 詢價
ON(安森美)
24+
0
4000
原裝原廠代理 可免費送樣品
 詢價
ON/安森美
23+
20000
原裝現(xiàn)貨,可追溯原廠渠道
 詢價
FAIRCHILD/仙童
23+
TO-220
9800
原廠原裝假一賠十
 詢價
ON/安森美
19+
T0-220
3000
正規(guī)渠道原裝正品
 詢價
FAIRCHILD/仙童
23+
TO-220
6850
只做原廠原裝正品現(xiàn)貨!假一賠十!
 詢價
FAIRCHILD
17+
NA
6200
100%原裝正品現(xiàn)貨
 詢價
FAIRCHILD
1708+
TO-220AB
8500
只做原裝進口,假一罰十
 詢價
ONSemiconductor
24+
NA
3000
進口原裝正品優(yōu)勢供應
 詢價
更多FCP190N60E供應商 更新時間2025-2-28 18:19:00

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