訂購(gòu)數(shù)量 | 價(jià)格 |
---|---|
1+ |
- 廠家型號(hào):
FD200R12KE3P
- 產(chǎn)品分類:
- 生產(chǎn)廠商:
- 庫(kù)存數(shù)量:
6000
- 產(chǎn)品封裝:
AG-62MM-1
- 生產(chǎn)批號(hào):
21+
- 庫(kù)存類型:
- 更新時(shí)間:
2024-11-8 23:00:00
訂購(gòu)數(shù)量 | 價(jià)格 |
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1+ |
6000
AG-62MM-1
21+
2024-11-8 23:00:00
原廠料號(hào):FD200R12KE3P品牌:Infineon/英飛凌
原裝現(xiàn)貨正品
FD200R12KE3P是分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - IGBT - 模塊。制造商Infineon/英飛凌/Infineon Technologies生產(chǎn)封裝AG-62MM-1/模塊的FD200R12KE3P晶體管 - IGBT - 模塊絕緣柵雙極晶體管 (IGBT) 是三端功率半導(dǎo)體器件,主要用作電子開(kāi)關(guān),兼具高效率和快速切換優(yōu)點(diǎn)。作為模塊,IGBT 配置為非對(duì)稱式橋; 升壓、降壓和制動(dòng)斬波器;全橋、三電平和三相逆變器。有些器件內(nèi)置了用于監(jiān)控溫度的 NTC 熱敏電阻。IGBT 模塊可根據(jù)最大功率、集電極電流、集射擊穿電壓和配置進(jìn)行區(qū)分。
FD200R12KE3P
INFINEON【英飛凌】詳情
Infineon Technologies AG
英飛凌科技股份公司
10 頁(yè)
595.81 kb
62mm C-Serien Modul mit Trench/Feldstopp IGBT3 und Emitter Controlled HE Diode und bereits aufgetragenem Thermal Interface Material
描述
FD200R12KE3PHOSA1
Infineon Technologies
C
散裝
溝槽型場(chǎng)截止
單路
2.15V @ 15V,200A
標(biāo)準(zhǔn)
無(wú)
-40°C ~ 125°C
底座安裝
模塊
模塊
IGBT MODULE 1200V 200A
深圳市杰順創(chuàng)科技有限公司
符小姐
13410384382
0755-83993226
深圳市福田區(qū)福田街道崗廈社區(qū)彩田路3069號(hào)星河世紀(jì)A棟1519R、深圳市福田區(qū)賽格科技園4棟西中8樓8B16室