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FD650

LED drive control/keyboard scanning ASIC FD650

I.Overview FD650isaspecialcircuitforLEDdrivecontrolwithkeyboardscanningcircuitinterface.IntegratedwithMCUinputOutputcontrolcircuitssuchasdigitalinterface,datalatch,LEDdrive,keyboardscanning,andbrightnessadjustment. ThischipStableperformance,reliablequality

etc2List of Unclassifed Manufacturers

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FD650R17IE4D_B2

PrimePACK2 module and NTC

PrimePACK2moduleandNTC

InfineonInfineon Technologies AG

英飛凌英飛凌科技股份公司

FD650S

LED drive control/keyboard scanning ASIC FD650

I.Overview FD650isaspecialcircuitforLEDdrivecontrolwithkeyboardscanningcircuitinterface.IntegratedwithMCUinputOutputcontrolcircuitssuchasdigitalinterface,datalatch,LEDdrive,keyboardscanning,andbrightnessadjustment. ThischipStableperformance,reliablequality

etc2List of Unclassifed Manufacturers

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FD650R17IE4

Technische Information / Technical Information

InfineonInfineon Technologies AG

英飛凌英飛凌科技股份公司

FD6500002

Package：4-SMD，無引線；包裝：卷帶（TR） 類別：晶體，振蕩器，諧振器 振蕩器 描述：XTAL OSC XO 65.0000MHZ CMOS SMD

PAM

Diodes Incorporated

FD650R17IE4BOSA2

Package：模塊；包裝：托盤 類別：分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 晶體管 - IGBT - 模塊 描述：IGBT MOD 1700V 930A 4150W

InfineonInfineon Technologies AG

英飛凌英飛凌科技股份公司

FGM-650PGSR

SensingelementGauge

FUJIKURAFujikura Ltd.

富士康富士康(中國) 公司

FM650-T

ChipSchottkyBarrierDiodes-Siliconepitaxialplanertype

Features PlasticpackagehasUnderwritersLaboratoryFlammabilityClassification94V-OUtilizingFlameRetardantEpoxyMoldingCompound. Forsurfacemountedapplications. ExceedsenvironmentalstandardsofMIL-S-19500/228 Lowleakagecurrent.

FORMOSAFormosa MS

美麗微半導(dǎo)體美麗微半導(dǎo)體股份有限公司

FR-650

FLAMERETARDENTCARDGUIDE

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GL650USB

USB4PORTHUBCONTROLLER

[Genesys-Logic] FUNCTIONOVERVIEW TheGLI650USBisa5portUSBhubwith1upstreamportand4downstreamports.Itusesan8-bitRISC-likeuCtoencode/decodethehostcommands.TheGL650USBisdesignedmainlyforstand-alonehubandcanalsobeintegratedinPCmotherboardoranyotherd

ETCList of Unclassifed Manufacturers

未分類制造商

詳細參數(shù)

  • 型號：

    FD650

  • 功能描述：

    IGBT 模塊 IGBT 1700V 650A

  • RoHS：

    否

  • 制造商：

    Infineon Technologies

  • 產(chǎn)品：

    IGBT Silicon Modules

  • 配置：

    Dual 集電極—發(fā)射極最大電壓

  • VCEO：

    600 V

  • 集電極—射極飽和電壓：

    1.95 V 在25

  • C的連續(xù)集電極電流：

    230 A

  • 柵極—射極漏泄電流：

    400 nA

  • 功率耗散：

    445 W

  • 最大工作溫度：

    + 125 C

  • 封裝/箱體：

    34MM

供應(yīng)商型號品牌批號封裝庫存備注價格
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更多FD650供應(yīng)商 更新時間2025-1-27 9:32:00

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