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FD800R33KF2C分立半導體產(chǎn)品的晶體管-IGBT-模塊規(guī)格書PDF中文資料

FD800R33KF2C
廠商型號

FD800R33KF2C
參數(shù)屬性

FD800R33KF2C 封裝/外殼為模塊；包裝為托盤；類別為分立半導體產(chǎn)品的晶體管-IGBT-模塊；產(chǎn)品描述：IGBT MODULE 3300V 9600W
功能描述

IGBT, Brake-Chopper Maximum Rated Values
IGBT MODULE 3300V 9600W
文件大小

583.65 Kbytes
頁面數(shù)量

11 頁
生產(chǎn)廠商 Infineon Technologies AG
企業(yè)簡稱

Infineon【英飛凌】

中文名稱

英飛凌科技股份公司官網(wǎng)
原廠標識
數(shù)據(jù)手冊

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更新時間

2025-1-3 18:26:00

FD800R33KF2C規(guī)格書詳情

FD800R33KF2C屬于分立半導體產(chǎn)品的晶體管-IGBT-模塊。由英飛凌科技股份公司制造生產(chǎn)的FD800R33KF2C晶體管 - IGBT - 模塊絕緣柵雙極晶體管 (IGBT) 是三端功率半導體器件，主要用作電子開關(guān)，兼具高效率和快速切換優(yōu)點。作為模塊，IGBT 配置為非對稱式橋； 升壓、降壓和制動斬波器；全橋、三電平和三相逆變器。有些器件內(nèi)置了用于監(jiān)控溫度的 NTC 熱敏電阻。IGBT 模塊可根據(jù)最大功率、集電極電流、集射擊穿電壓和配置進行區(qū)分。

產(chǎn)品屬性

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  • 產(chǎn)品編號：

    FD800R33KF2CNOSA1

  • 制造商：

    Infineon Technologies

  • 類別：

    分立半導體產(chǎn)品 > 晶體管 - IGBT - 模塊

  • 包裝：

    托盤

  • 配置：

    單斬波器

  • 不同?Vge、Ic 時?Vce(on)（最大值）：

    4.25V @ 15V，800A

  • 輸入：

    標準

  • NTC 熱敏電阻：

    無

  • 工作溫度：

    -40°C ~ 125°C

  • 安裝類型：

    底座安裝

  • 封裝/外殼：

    模塊

  • 供應商器件封裝：

    模塊

  • 描述：

    IGBT MODULE 3300V 9600W

供應商 型號 品牌 批號 封裝 庫存 備注 價格
Infineon(英飛凌)
23+
6000
誠信服務，絕對原裝原盤
 詢價
Infineon Technologies
30000
原裝現(xiàn)貨,支持實單
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2023+
模塊
600
專營模塊,繼電器,公司原裝現(xiàn)貨
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INFINEON
原廠封裝
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13880
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