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FDB024N06中文資料仙童半導(dǎo)體數(shù)據(jù)手冊PDF規(guī)格書

FDB024N06
廠商型號

FDB024N06

功能描述

N-Channel PowerTrench? MOSFET 60V, 265A, 2.4m廓

文件大小

619.67 Kbytes

頁面數(shù)量

8

生產(chǎn)廠商 Fairchild Semiconductor
企業(yè)簡稱

Fairchild仙童半導(dǎo)體

中文名稱

飛兆/仙童半導(dǎo)體公司官網(wǎng)

原廠標(biāo)識
數(shù)據(jù)手冊

下載地址一下載地址二到原廠下載

更新時間

2025-1-24 23:21:00

FDB024N06規(guī)格書詳情

General Description

This N-Channel MOSFET is produced using Fairchild Semiconductor’s advanced PowerTrench process that has been especially tailored to minimize the on-state resistance and yet maintain superior switching performance.

Features

? RDS(on) = 1.8m? ( Typ.) @ VGS = 10V, ID = 75A

? Fast switching speed

? Low gate charge

? High performance trench technology for extremely low RDS(on)

? High power and current handling capability

? RoHS compliant

Application

? DC to DC convertors / Synchronous Rectification

產(chǎn)品屬性

  • 型號:

    FDB024N06

  • 功能描述:

    MOSFET 60V N-Channel PowerTrench

  • RoHS:

  • 制造商:

    STMicroelectronics

  • 晶體管極性:

    N-Channel

  • 汲極/源極擊穿電壓:

    650 V

  • 閘/源擊穿電壓:

    25 V

  • 漏極連續(xù)電流:

    130 A 電阻汲極/源極

  • RDS(導(dǎo)通):

    0.014 Ohms

  • 配置:

    Single

  • 安裝風(fēng)格:

    Through Hole

  • 封裝/箱體:

    Max247

  • 封裝:

    Tube

供應(yīng)商 型號 品牌 批號 封裝 庫存 備注 價格
FSC
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22+
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