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FDH15N50	文件：344.05 Kbytes Page：2 Pages	iscN-ChannelMOSFETTransistor FEATURES ·DrainCurrent–ID=15A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage- :VDSS=500V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance :RDS(on)=0.38Ω(Max) ·100avalanchetested ·MinimumLot-to-Lotvariationsforrobustdevice performanceandreliableoperation DESCRIPTION ·Designedforuseinswitchm	ISCInchange Semiconductor Company Limited 無錫固電無錫固電半導(dǎo)體股份有限公司	ISC
FDH15N50	文件：194.94 Kbytes Page：6 Pages	15A,500V,0.38Ohm,N-ChannelSMPSPowerMOSFET Features ?LowGateChargeQgresultsinSimpleDriveRequirement ?ImprovedGate,AvalancheandHighReapplieddv/dtRuggedness ?ReducedrDS(ON) ?ReducedMillerCapacitanceandLowInputCapacitance ?ImprovedSwitchingSpeedwithLowEMI ?175°CRatedJunctionTemperature Applications	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半導(dǎo)體飛兆/仙童半導(dǎo)體公司	Fairchild
FDP15N50	文件：331.8 Kbytes Page：2 Pages	iscN-ChannelMOSFETTransistor FEATURES ·DrainCurrent:ID=15A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage :VDSS=500V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance :RDS(on)=0.38mΩ(Max)@VGS=10V ·100avalanchetested ·MinimumLot-to-Lotvariationsforrobustdevice performanceandreliableoperation DESCRIPTION ·motordrive,DC-DC	ISCInchange Semiconductor Company Limited 無錫固電無錫固電半導(dǎo)體股份有限公司	ISC
FDP15N50	文件：194.94 Kbytes Page：6 Pages	15A,500V,0.38Ohm,N-ChannelSMPSPowerMOSFET Features ?LowGateChargeQgresultsinSimpleDriveRequirement ?ImprovedGate,AvalancheandHighReapplieddv/dtRuggedness ?ReducedrDS(ON) ?ReducedMillerCapacitanceandLowInputCapacitance ?ImprovedSwitchingSpeedwithLowEMI ?175°CRatedJunctionTemperature Applications	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半導(dǎo)體飛兆/仙童半導(dǎo)體公司	Fairchild
HM15N50	文件：505.78 Kbytes Page：8 Pages	500VN-ChannelMOSFET	HMSEMIShenzhen Huazhimei Semiconductor Co., Ltd 華之美半導(dǎo)體深圳市華之美半導(dǎo)體有限公司	HMSEMI
HM15N50F	文件：505.78 Kbytes Page：8 Pages	500VN-ChannelMOSFET	HMSEMIShenzhen Huazhimei Semiconductor Co., Ltd 華之美半導(dǎo)體深圳市華之美半導(dǎo)體有限公司	HMSEMI
I15N50	文件：1.54489 Mbytes Page：12 Pages	15A500VN-channelEnhancementModePowerMOSFET	WXDHJiangsu Donghai Semiconductor Technology Co.,Ltd 東海半導(dǎo)體江蘇東海半導(dǎo)體股份有限公司	WXDH
KDB15N50	文件：50.18 Kbytes Page：2 Pages	N-ChannelSMPSPowerMOSFET Features ●LowGateChargeQgresultsinSimpleDriveRequirement ●ImprovedGate,AvalancheandHighReapplieddv/dtRuggedness ●ReducedrDS(ON) ●ReducedMillerCapacitanceandLowInputCapacitance ●ImprovedSwitchingSpeedwithLowEMI	KEXINGuangdong Kexin Industrial Co.,Ltd 科信電子廣東科信實(shí)業(yè)有限公司	KEXIN
KF15N50N	文件：69.45 Kbytes Page：6 Pages	NCHANNELMOSFIELDEFFECTTRANSISTOR GeneralDescription ThisplanarstripeMOSFEThasbettercharacteristics,suchasfastswitchingtime,lowonresistance,lowgatechargeandexcellentavalanchecharacteristics.Itismainlysuitableforswitchingmodepowersupplies. FEATURES ?VDSS(Min.)=500V,ID=15A ?Drain-SourceONRes	KECKEC CORPORATION KEC株式會社	KEC
MS15N50	文件：426.13 Kbytes Page：4 Pages	N-ChannelEnhancementModePowerMOSFET	BWTECH Bruckewell Technology LTD	BWTECH
MTM15N50	文件：196.31 Kbytes Page：5 Pages	POWERFIELDEFFECTTRANSISTOR TMOSPOWERFETs15AMPERESrDS(on)=0.4OHM450and500VOLTS	MotorolaMotorola, Inc 摩托羅拉加爾文制造公司	Motorola
MTN15N50FP	文件：289.4 Kbytes Page：8 Pages	N-ChannelEnhancementModePowerMOSFET	CYSTEKECCystech Electonics Corp. 全宇昕科技全宇昕科技股份有限公司	CYSTEKEC
SIF15N50C	文件：428.16 Kbytes Page：8 Pages	N-CHANNELPOWERMOSFET	SISEMICShenzhen SI Semiconductors Co.,LTD. 深愛半導(dǎo)體深圳深愛半導(dǎo)體股份有限公司	SISEMIC
SIHA15N50E	文件：173.65 Kbytes Page：8 Pages	ESeriesPowerMOSFET	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半導(dǎo)體	Vishay
SIHA15N50E	文件：170.27 Kbytes Page：8 Pages	ESeriesPowerMOSFET FEATURES ?Lowfigure-of-merit(FOM)RonxQg ?Lowinputcapacitance(Ciss) ?Reducedswitchingandconductionlosses ?Lowgatecharge(Qg) ?Avalancheenergyrated(UIS) ?Materialcategorization:fordefinitionsofcompliance pleaseseewww.vishay.com/doc?99912 APPLICATIONS ?Comput	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半導(dǎo)體	Vishay
SIHA15N50E	文件：319.01 Kbytes Page：2 Pages	iscN-ChannelMOSFETTransistor	ISCInchange Semiconductor Company Limited 無錫固電無錫固電半導(dǎo)體股份有限公司	ISC
SIHB15N50E	文件：322.14 Kbytes Page：2 Pages	iscN-ChannelMOSFETTransistor	ISCInchange Semiconductor Company Limited 無錫固電無錫固電半導(dǎo)體股份有限公司	ISC
SIHB15N50E	文件：220.49 Kbytes Page：9 Pages	ESeriesPowerMOSFET	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半導(dǎo)體	Vishay
SIHB15N50E	文件：208.5 Kbytes Page：9 Pages	ESeriesPowerMOSFET FEATURES ?Lowfigure-of-merit(FOM)RonxQg ?Lowinputcapacitance(Ciss) ?Reducedswitchingandconductionlosses ?Lowgatecharge(Qg) ?Avalancheenergyrated(UIS) ?Materialcategorization:fordefinitionsofcompliance pleaseseewww.vishay.com/doc?99912 APPLICATIONS ?Comput	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半導(dǎo)體	Vishay
SIHP15N50E	文件：162.54 Kbytes Page：8 Pages	ESeriesPowerMOSFET	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半導(dǎo)體	Vishay

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詳細(xì)參數(shù)

型號：
FDB15N50_NL
制造商：
Rochester Electronics LLC
制造商：
Fairchild Semiconductor Corporation

供應(yīng)商	型號	品牌	批號	封裝	庫存	備注	價(jià)格
深圳市高捷芯城科技有限公司	FDB15N50_NL	onsemi(安森美)	23+	TO-263	7793	支持大陸交貨,美金交易。原裝現(xiàn)貨庫存。	詢價(jià)
深圳市宇集芯電子有限公司	FDB15N50-NL	FAIRCHIL	24+	TO-263	90000	一級代理商進(jìn)口原裝現(xiàn)貨、價(jià)格合理	詢價(jià)
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深圳市勝彬電子有限公司	FDB15N50-NL	FAIRCILD	22+	TO-263	8000	原裝正品支持實(shí)單	詢價(jià)
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更多FDB15N50_NL供應(yīng)商更新時(shí)間2025-1-13 15:14:00

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