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FDB16AN08_ONSEMI/安森美半導(dǎo)體_MOSFET Discrete Auto N-Ch UltraFET Trench創(chuàng)新跡商城

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  • 廠家型號(hào)：

    FDB16AN08

  • 產(chǎn)品分類(lèi)：

    IC芯片

  • 生產(chǎn)廠商：

    ONSEMI/安森美半導(dǎo)體

  • 庫(kù)存數(shù)量：

    25000

  • 產(chǎn)品封裝：

    SOT263

  • 生產(chǎn)批號(hào)：

    22+

  • 庫(kù)存類(lèi)型：

    常用庫(kù)存

  • 更新時(shí)間：

    2024-12-28 12:27:00

  • 詳細(xì)信息
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原廠料號(hào)：FDB16AN08品牌：ON/安森美

只做原裝進(jìn)口現(xiàn)貨,專(zhuān)注配單

  • 芯片型號(hào)：

    FDB16AN08A0

  • 規(guī)格書(shū)：

    下載

  • 企業(yè)簡(jiǎn)稱(chēng)：

    ISC【無(wú)錫固電】詳情

  • 廠商全稱(chēng)：

    Inchange Semiconductor Company Limited

  • 中文名稱(chēng)：

    無(wú)錫固電半導(dǎo)體股份有限公司

  • 內(nèi)容頁(yè)數(shù)：

    2 頁(yè)

  • 文件大?。?/span>

    333.37 kb

  • 資料說(shuō)明：

    isc N-Channel MOSFET Transistor

產(chǎn)品屬性

  • 類(lèi)型

    描述

  • 型號(hào)：

    FDB16AN08

  • 功能描述：

    MOSFET Discrete Auto N-Ch UltraFET Trench

  • RoHS：

    否

  • 制造商：

    STMicroelectronics

  • 晶體管極性：

    N-Channel

  • 汲極/源極擊穿電壓：

    650 V

  • 閘/源擊穿電壓：

    25 V

  • 漏極連續(xù)電流：

    130 A 電阻汲極/源極

  • RDS（導(dǎo)通）：

    0.014 Ohms

  • 配置：

    Single

  • 安裝風(fēng)格：

    Through Hole

  • 封裝/箱體：

    Max247

  • 封裝：

    Tube

供應(yīng)商

  • 企業(yè)：

    深圳市創(chuàng)新跡電子有限公司

  • 商鋪：

    進(jìn)入商鋪

  • 聯(lián)系人：

    楊小姐

  • 手機(jī)：

    13430590551

  • 詢(xún)價(jià)：
  • 電話(huà)：

    13430590551

  • 地址：

    深圳市福田區(qū)華強(qiáng)北街道福強(qiáng)社區(qū)華強(qiáng)北路1078號(hào)現(xiàn)代之窗A座、B座A座9D

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