首頁(yè)>FDB6030L>詳情

FDB6030L_ONSEMI/安森美半導(dǎo)體_MOSFET N-Channel PowerTrench航潤(rùn)創(chuàng)能二部

圖片僅供參考，請(qǐng)參閱產(chǎn)品規(guī)格書

訂購(gòu)數(shù)量 價(jià)格
1+
  • 廠家型號(hào)：

    FDB6030L

  • 產(chǎn)品分類：

    IC芯片

  • 生產(chǎn)廠商：

    ONSEMI/安森美半導(dǎo)體

  • 庫(kù)存數(shù)量：

    16828

  • 產(chǎn)品封裝：

    TO-263

  • 生產(chǎn)批號(hào)：

    21+

  • 庫(kù)存類型：

    常用庫(kù)存

  • 更新時(shí)間：

    2024-12-27 10:37:00

  • 詳細(xì)信息
  • 規(guī)格書下載

原廠料號(hào)：FDB6030L品牌：ON

原裝現(xiàn)貨假一賠十

  • 芯片型號(hào)：

    FDB6030L

  • 規(guī)格書：

    下載

  • 企業(yè)簡(jiǎn)稱：

    ISC【無(wú)錫固電】詳情

  • 廠商全稱：

    Inchange Semiconductor Company Limited

  • 中文名稱：

    無(wú)錫固電半導(dǎo)體股份有限公司

  • 內(nèi)容頁(yè)數(shù)：

    2 頁(yè)

  • 文件大小：

    329.15 kb

  • 資料說(shuō)明：

    isc N-Channel MOSFET Transistor

產(chǎn)品屬性

  • 類型

    描述

  • 型號(hào)：

    FDB6030L

  • 功能描述：

    MOSFET N-Channel PowerTrench

  • RoHS：

    否

  • 制造商：

    STMicroelectronics

  • 晶體管極性：

    N-Channel

  • 汲極/源極擊穿電壓：

    650 V

  • 閘/源擊穿電壓：

    25 V

  • 漏極連續(xù)電流：

    130 A 電阻汲極/源極

  • RDS（導(dǎo)通）：

    0.014 Ohms

  • 配置：

    Single

  • 安裝風(fēng)格：

    Through Hole

  • 封裝/箱體：

    Max247

  • 封裝：

    Tube

供應(yīng)商

  • 企業(yè)：

    深圳市航潤(rùn)創(chuàng)能電子集團(tuán)有限公司

  • 商鋪：

    進(jìn)入商鋪

  • 聯(lián)系人：

    朱小姐

  • 手機(jī)：

    19520636341

  • 詢價(jià)：
  • 電話：

    19520636341

  • 地址：

    深圳市福田區(qū)華強(qiáng)北街道福強(qiáng)社區(qū)深南中路2068號(hào)華能大廈2303

相近型號(hào)