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FDB8874

isc N-Channel MOSFET Transistor

FEATURES ·DrainCurrent:ID=121A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage :VDSS=30V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance :RDS(on)=4.7mΩ(Max)@VGS=10V ·100avalanchetested ·MinimumLot-to-Lotvariationsforrobustdevice performanceandreliableoperation DESCRIPTION ·motordrive,DC-DC

ISCInchange Semiconductor Company Limited

無錫固電無錫固電半導(dǎo)體股份有限公司

FDB8874

N-Channel PowerTrench MOSFET

FairchildFairchild Semiconductor

仙童半導(dǎo)體飛兆/仙童半導(dǎo)體公司

FDD8874

N-ChannelPowerTrenchMOSFET30V,116A,5.1mohm

FairchildFairchild Semiconductor

仙童半導(dǎo)體飛兆/仙童半導(dǎo)體公司

FDD8874

N-ChannelPowerTrenchMOSFET30V,116A

FairchildFairchild Semiconductor

仙童半導(dǎo)體飛兆/仙童半導(dǎo)體公司

FDD8874

N-channelEnhancementModePowerMOSFET

Features ?VDS=30V,ID=150A RDS(ON)

BychipBYCHIP ELECTRONICS CO., LIMITED

百域芯深圳市百域芯科技有限公司

FDD8874

30VN-ChannelMOSFET

Features ?Highperformancetrenchtechnologyforextremelylow rDS(ON) ?Lowgatecharge ?Highpowerandcurrenthandlingcapability ?RoHSCompliant

UMWGuangdong Youtai Semiconductor Co., Ltd.

友臺半導(dǎo)體廣東友臺半導(dǎo)體有限公司

FDD8874

iscN-ChannelMOSFETTransistor

ISCInchange Semiconductor Company Limited

無錫固電無錫固電半導(dǎo)體股份有限公司

FDP8874

iscN-ChannelMOSFETTransistor

ISCInchange Semiconductor Company Limited

無錫固電無錫固電半導(dǎo)體股份有限公司

FDP8874

N-ChannelPowerTrench?MOSFET

FairchildFairchild Semiconductor

仙童半導(dǎo)體飛兆/仙童半導(dǎo)體公司

FDP8874

N-ChannelPowerTrenchMOSFET

FairchildFairchild Semiconductor

仙童半導(dǎo)體飛兆/仙童半導(dǎo)體公司

詳細參數(shù)

  • 型號：

    FDB8874

  • 功能描述：

    MOSFET 30V N-Channel PowerTrench

  • RoHS：

    否

  • 制造商：

    STMicroelectronics

  • 晶體管極性：

    N-Channel

  • 汲極/源極擊穿電壓：

    650 V

  • 閘/源擊穿電壓：

    25 V

  • 漏極連續(xù)電流：

    130 A 電阻汲極/源極

  • RDS（導(dǎo)通）：

    0.014 Ohms

  • 配置：

    Single

  • 安裝風格：

    Through Hole

  • 封裝/箱體：

    Max247

  • 封裝：

    Tube

供應(yīng)商型號品牌批號封裝庫存備注價格
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更多FDB8874供應(yīng)商 更新時間2025-1-23 17:06:00

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