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FDC6401N中文資料仙童半導(dǎo)體數(shù)據(jù)手冊PDF規(guī)格書

FDC6401N
廠商型號

FDC6401N

功能描述

Dual N-Channel 2.5V Specified PowerTrench MOSFET

文件大小

76.33 Kbytes

頁面數(shù)量

5

生產(chǎn)廠商 Fairchild Semiconductor
企業(yè)簡稱

Fairchild仙童半導(dǎo)體

中文名稱

飛兆/仙童半導(dǎo)體公司官網(wǎng)

原廠標(biāo)識
數(shù)據(jù)手冊

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更新時間

2025-3-16 23:00:00

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FDC6401N規(guī)格書詳情

General Description

This Dual N-Channel MOSFET has been designed specifically to improve the overall efficiency of DC/DC converters using either synchronous or conventional switching PWM controllers. It has been optimized for low gate charge, low RDS(ON) and fast switching speed.

Features

· 3.0 A, 20 V. RDS(ON) = 70 mW @ VGS = 4.5 V

RDS(ON) = 95 mW @ VGS = 2.5 V

· Low gate charge (3.3 nC)

· High performance trench technology for extremely low RDS(ON)

· High power and current handling capability

Applications

· DC/DC converter

· Battery Protection

· Power Management

產(chǎn)品屬性

  • 型號:

    FDC6401N

  • 功能描述:

    MOSFET Dual N-Ch 2.5V Spec Power Trench

  • RoHS:

  • 制造商:

    STMicroelectronics

  • 晶體管極性:

    N-Channel

  • 汲極/源極擊穿電壓:

    650 V

  • 閘/源擊穿電壓:

    25 V

  • 漏極連續(xù)電流:

    130 A 電阻汲極/源極

  • RDS(導(dǎo)通):

    0.014 Ohms

  • 配置:

    Single

  • 安裝風(fēng)格:

    Through Hole

  • 封裝/箱體:

    Max247

  • 封裝:

    Tube

供應(yīng)商 型號 品牌 批號 封裝 庫存 備注 價格
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