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FDB10AN06A0

N-ChannelPowerTrenchMOSFET60V,75A,10.5m?

Features ?rDS(ON)=9.5m?(Typ.),VGS=10V,ID=75A ?Qg(tot)=28nC(Typ.),VGS=10V ?LowMillerCharge ?LowQrrBodyDiode ?UISCapability(SinglePulseandRepetitivePulse) ?QualifiedtoAECQ101 Applications ?Motor/BodyLoadControl ?ABSSystems ?PowertrainManagement

FairchildFairchild Semiconductor

仙童半導體飛兆/仙童半導體公司

FDD10AN06A0

N-ChannelPowerTrenchMOSFET60V,50A,10.5m?

FairchildFairchild Semiconductor

仙童半導體飛兆/仙童半導體公司

FDD10AN06A0Q

N-channelEnhancementModePowerMOSFET

Features ?VDS=60V,ID=50A RDS(ON)

BychipBYCHIP ELECTRONICS CO., LIMITED

百域芯深圳市百域芯科技有限公司

FDP10AN06A0

iscN-ChannelMOSFETTransistor

FEATURES ·DrainCurrent:ID=75A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage :VDSS=60V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance :RDS(on)=10.5mΩ(Max)@VGS=10V ·100avalanchetested ·MinimumLot-to-Lotvariationsforrobustdevice performanceandreliableoperation DESCRIPTION ·motordrive,DC-DCc

ISCInchange Semiconductor Company Limited

無錫固電無錫固電半導體股份有限公司

FDP10AN06A0

N-ChannelPowerTrenchMOSFET60V,75A,10.5m?

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FairchildFairchild Semiconductor

仙童半導體飛兆/仙童半導體公司

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更多FDD10AN06A0MOS供應商 更新時間2025-2-5 8:02:00

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