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FDD4243中文資料翊歐數(shù)據(jù)手冊(cè)PDF規(guī)格書

FDD4243
廠商型號(hào)

FDD4243

功能描述

P-Channel MOSFET

文件大小

580.97 Kbytes

頁(yè)面數(shù)量

6 頁(yè)

生產(chǎn)廠商 EVER SEMICONDUCTOR CO.,LIMITED
企業(yè)簡(jiǎn)稱

EVVOSEMI翊歐

中文名稱

翊歐半導(dǎo)體官網(wǎng)

原廠標(biāo)識(shí)
數(shù)據(jù)手冊(cè)

下載地址一下載地址二

更新時(shí)間

2024-12-23 22:30:00

FDD4243規(guī)格書詳情

Features

High performance trench technology for extremely low rDS(on)

RoHS Compliant

VDS (V) =-40V

RDS(ON) < 44mΩ (VGS =-10V)

RDS(ON) < 64mΩ (VGS =-4.5V)

General Description

This P-Channel MOSFET has been produced technology to

deliver low rDS(on) and optimized Bvdss capability to offer

superior performance benefit in the applications.

Application

Inverter

Power Supplies

產(chǎn)品屬性

  • 型號(hào):

    FDD4243

  • 功能描述:

    MOSFET 40V P-Channel PowerTrench? MOSFET

  • RoHS:

  • 制造商:

    STMicroelectronics

  • 晶體管極性:

    N-Channel

  • 汲極/源極擊穿電壓:

    650 V

  • 閘/源擊穿電壓:

    25 V

  • 漏極連續(xù)電流:

    130 A 電阻汲極/源極

  • RDS(導(dǎo)通):

    0.014 Ohms

  • 配置:

    Single

  • 安裝風(fēng)格:

    Through Hole

  • 封裝/箱體:

    Max247

  • 封裝:

    Tube

供應(yīng)商 型號(hào) 品牌 批號(hào) 封裝 庫(kù)存 備注 價(jià)格
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