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FDD5614P中文資料仙童半導(dǎo)體數(shù)據(jù)手冊PDF規(guī)格書

FDD5614P
廠商型號

FDD5614P

功能描述

60V P-Channel PowerTrench MOSFET

文件大小

81.67 Kbytes

頁面數(shù)量

6

生產(chǎn)廠商 Fairchild Semiconductor
企業(yè)簡稱

Fairchild仙童半導(dǎo)體

中文名稱

飛兆/仙童半導(dǎo)體公司官網(wǎng)

原廠標識
數(shù)據(jù)手冊

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更新時間

2025-2-23 23:15:00

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FDD5614P規(guī)格書詳情

General Description

This 60V P-Channel MOSFET uses Fairchild’s high voltage PowerTrench process. It has been optimized for power management applications. Applications

Features

? –15 A, –60 V. RDS(ON)= 100 m?@ VGS= –10 V

RDS(ON)= 130 m?@ VGS= –4.5 V

? Fast switching speed

? High performance trench technology for extremely low RDS(ON)

? High power and current handling capability

產(chǎn)品屬性

  • 型號:

    FDD5614P

  • 功能描述:

    MOSFET 60V P-Ch PowerTrench

  • RoHS:

  • 制造商:

    STMicroelectronics

  • 晶體管極性:

    N-Channel

  • 汲極/源極擊穿電壓:

    650 V

  • 閘/源擊穿電壓:

    25 V

  • 漏極連續(xù)電流:

    130 A 電阻汲極/源極

  • RDS(導(dǎo)通):

    0.014 Ohms

  • 配置:

    Single

  • 安裝風格:

    Through Hole

  • 封裝/箱體:

    Max247

  • 封裝:

    Tube

供應(yīng)商 型號 品牌 批號 封裝 庫存 備注 價格
FAIRCHILD/仙童
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