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FDD6637中文資料仙童半導體數(shù)據手冊PDF規(guī)格書

FDD6637
廠商型號

FDD6637

功能描述

35V P-Channel PowerTrench-R MOSFET

文件大小

111.67 Kbytes

頁面數(shù)量

7

生產廠商 Fairchild Semiconductor
企業(yè)簡稱

Fairchild仙童半導體

中文名稱

飛兆/仙童半導體公司官網

原廠標識
數(shù)據手冊

下載地址一下載地址二到原廠下載

更新時間

2025-2-2 16:20:00

FDD6637規(guī)格書詳情

General Description

This P-Channel MOSFET has been produced using Fairchild Semiconductor’s proprietary PowerTrench technology to deliver low Rdson and optimized Bvdss capability to offer superior performance benefit in the applications.

Features

· –55 A, –35 V RDS(ON) = 11.6 mW @ VGS = –10 V

RDS(ON) = 18 mW @ VGS = –4.5 V

· High performance trench technology for extremely low RDS(ON)

· RoHS Compliant

Applications

· Inverter

· Power Supplies

產品屬性

  • 型號:

    FDD6637

  • 功能描述:

    MOSFET 35V PCH PowerTrench MOSFET

  • RoHS:

  • 制造商:

    STMicroelectronics

  • 晶體管極性:

    N-Channel

  • 汲極/源極擊穿電壓:

    650 V

  • 閘/源擊穿電壓:

    25 V

  • 漏極連續(xù)電流:

    130 A 電阻汲極/源極

  • RDS(導通):

    0.014 Ohms

  • 配置:

    Single

  • 安裝風格:

    Through Hole

  • 封裝/箱體:

    Max247

  • 封裝:

    Tube

供應商 型號 品牌 批號 封裝 庫存 備注 價格
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