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FDD6680AS中文資料友臺半導體數(shù)據(jù)手冊PDF規(guī)格書

FDD6680AS
廠商型號

FDD6680AS

功能描述

30V N -Channel MOSFET

絲印標識

FDD6680AS

封裝外殼

TO-252

文件大小

498.11 Kbytes

頁面數(shù)量

7

生產(chǎn)廠商 Guangdong Youtai Semiconductor Co., Ltd.
企業(yè)簡稱

UMW友臺半導體

中文名稱

廣東友臺半導體有限公司官網(wǎng)

原廠標識
數(shù)據(jù)手冊

下載地址一下載地址二到原廠下載

更新時間

2025-1-9 20:00:00

FDD6680AS規(guī)格書詳情

Features

? Includes SyncFET Schottky body diode

? Low gate charge (21nC typical)

? High performance trench technology for extremely

low RDS(ON)

? High power and current handling capability

? VDS(V) = 30V

? ID =50A (VGS = 10V)

? RDS(ON) < 10.5mΩ (V GS = 5V)

? RDS(ON) < 13.0mΩ (V GS = 4.5V)

產(chǎn)品屬性

  • 型號:

    FDD6680AS

  • 功能描述:

    MOSFET 30V NCH DPAK POWR TRENCH

  • RoHS:

  • 制造商:

    STMicroelectronics

  • 晶體管極性:

    N-Channel

  • 汲極/源極擊穿電壓:

    650 V

  • 閘/源擊穿電壓:

    25 V

  • 漏極連續(xù)電流:

    130 A 電阻汲極/源極

  • RDS(導通):

    0.014 Ohms

  • 配置:

    Single

  • 安裝風格:

    Through Hole

  • 封裝/箱體:

    Max247

  • 封裝:

    Tube

供應商 型號 品牌 批號 封裝 庫存 備注 價格
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