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FDD850N10L

isc N-Channel MOSFET Transistor

FEATURES ·DrainCurrent:ID=15.7A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage :VDSS=100V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance :RDS(on)=75mΩ(Max)@VGS=10V ·100avalanchetested ·MinimumLot-to-Lotvariationsforrobustdevice performanceandreliableoperation DESCRIPTION ·motordrive,DC-DC

ISCInchange Semiconductor Company Limited

無錫固電無錫固電半導(dǎo)體股份有限公司

FDD850N10L

N-channel Enhancement Mode Power MOSFET

Features ?VDS=100V,ID=18.1A RDS(ON)

BychipBYCHIP ELECTRONICS CO., LIMITED

百域芯深圳市百域芯科技有限公司

FDD850N10L

N-Channel PowerTrench MOSFET 100 V, 15.7 A, 75 m Ohm

FairchildFairchild Semiconductor

仙童半導(dǎo)體飛兆/仙童半導(dǎo)體公司

FDD850N10LD

BoostPak (N-Channel PowerTrench? MOSFET Diode)

FairchildFairchild Semiconductor

仙童半導(dǎo)體飛兆/仙童半導(dǎo)體公司

詳細(xì)參數(shù)

  • 型號：

    FDD850N10L

  • 功能描述：

    MOSFET 100V N-Channel PowerTrench MOSFET

  • RoHS：

    否

  • 制造商：

    STMicroelectronics

  • 晶體管極性：

    N-Channel

  • 汲極/源極擊穿電壓：

    650 V

  • 閘/源擊穿電壓：

    25 V

  • 漏極連續(xù)電流：

    130 A 電阻汲極/源極

  • RDS（導(dǎo)通）：

    0.014 Ohms

  • 配置：

    Single

  • 安裝風(fēng)格：

    Through Hole

  • 封裝/箱體：

    Max247

  • 封裝：

    Tube

供應(yīng)商型號品牌批號封裝庫存備注價格
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進(jìn)口原裝正品優(yōu)勢供應(yīng)QQ3171516190
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更多FDD850N10L供應(yīng)商 更新時間2024-10-24 20:37:00

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