FDD86113中文資料友臺半導(dǎo)體數(shù)據(jù)手冊PDF規(guī)格書
FDD86113規(guī)格書詳情
Features
Shielded Gate MOSFET Technology
HBM ESD protection level > 6 kV typical (Note 4)
High performance trench technology for extremely low RDS(on)
High power and current handling capability in a widely used
surface mount package
VDS =100V
ID(at VGS=10V)4.2A
RDS(ON) (at VGS=10V) < 104mΩ
RDS(ON)(at VGS = 4.5V) < 156mΩ
產(chǎn)品屬性
- 型號:
FDD86113
- 功能描述:
MOSFET 100/20V PT5 N-Chan PowerTrench MOSFET
- RoHS:
否
- 制造商:
STMicroelectronics
- 晶體管極性:
N-Channel
- 汲極/源極擊穿電壓:
650 V
- 閘/源擊穿電壓:
25 V
- 漏極連續(xù)電流:
130 A 電阻汲極/源極
- RDS(導(dǎo)通):
0.014 Ohms
- 配置:
Single
- 安裝風(fēng)格:
Through Hole
- 封裝/箱體:
Max247
- 封裝:
Tube
供應(yīng)商 | 型號 | 品牌 | 批號 | 封裝 | 庫存 | 備注 | 價格 |
---|---|---|---|---|---|---|---|
FAIRCHILD/仙童 |
2447 |
TO252 |
100500 |
一級代理專營品牌!原裝正品,優(yōu)勢現(xiàn)貨,長期排單到貨 |
詢價 | ||
FAIRCHILD/仙童 |
23+ |
TO-252 |
50000 |
全新原裝正品現(xiàn)貨,支持訂貨 |
詢價 | ||
ON |
23+ |
TO-252-3 |
200 |
正規(guī)渠道,只有原裝! |
詢價 | ||
FAIRCHILD/仙童 |
21+ |
TO252 |
6000 |
全新原裝 公司現(xiàn)貨 |
詢價 | ||
FAIRCHILD/仙童 |
2023+ |
TO-252 |
8635 |
一級代理優(yōu)勢現(xiàn)貨,全新正品直營店 |
詢價 | ||
Fairchild(飛兆/仙童) |
23+ |
NA |
20094 |
正納10年以上分銷經(jīng)驗原裝進口正品做服務(wù)做口碑有支持 |
詢價 | ||
FAIRCHILD/仙童 |
22+ |
DPAK-3 |
18000 |
原裝正品 |
詢價 | ||
FAIRCHILD |
24+ |
原廠原封 |
6523 |
進口原裝公司百分百現(xiàn)貨可出樣品 |
詢價 | ||
FAIRCHI |
21+ |
TO-252 |
12588 |
原裝正品,自己庫存 假一罰十 |
詢價 | ||
FAIRCHILD/仙童 |
新年份 |
TO-252 |
67410 |
一級代理原裝正品現(xiàn)貨,支持實單! |
詢價 |