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FDD86326

N-channelEnhancementModePowerMOSFET

Features ?VDS=100V,ID=40A RDS(ON)

BychipBYCHIP ELECTRONICS CO., LIMITED

百域芯深圳市百域芯科技有限公司

FDD86326

N-ChannelShieldedGatePowerTrenchMOSFET80V,37A,23mOhm

FairchildFairchild Semiconductor

仙童半導體飛兆/仙童半導體公司

FDD86326

iscN-ChannelMOSFETTransistor

FEATURES ·DrainCurrent:ID=37A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage :VDSS=80V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance :RDS(on)=23mΩ(Max)@VGS=10V ·100avalanchetested ·MinimumLot-to-Lotvariationsforrobustdevice performanceandreliableoperation DESCRIPTION ·motordrive,DC-DCco

ISCInchange Semiconductor Company Limited

無錫固電無錫固電半導體股份有限公司

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更多FDD86326-NL供應商 更新時間2025-1-26 11:06:00

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