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FDD86581

isc N-Channel MOSFET Transistor

FEATURES ·DrainCurrent:ID=25A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage :VDSS=60V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance :RDS(on)=15mΩ(Max)@VGS=10V ·100avalanchetested ·MinimumLot-to-Lotvariationsforrobustdevice performanceandreliableoperation DESCRIPTION ·motordrive,DC-DCcon

ISCInchange Semiconductor Company Limited

無(wú)錫固電無(wú)錫固電半導(dǎo)體股份有限公司

FDD86581

N-channel Enhancement Mode Power MOSFET

Features ?VDS=60V,ID=50A RDS(ON)

BychipBYCHIP ELECTRONICS CO., LIMITED

百域芯深圳市百域芯科技有限公司

86581-XYY

BERGSTIKIIHEADERD/R100/2.52ccSTRAIGHT

FCI-CONNECTOR

FCI connector

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更多FDD86581供應(yīng)商 更新時(shí)間2025-2-24 9:49:00