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FDD8870中文資料友臺半導(dǎo)體數(shù)據(jù)手冊PDF規(guī)格書

FDD8870
廠商型號

FDD8870

功能描述

30V N-Channel MOSFET

絲印標(biāo)識

FDD8870

封裝外殼

TO-252

文件大小

389.14 Kbytes

頁面數(shù)量

8

生產(chǎn)廠商 Guangdong Youtai Semiconductor Co., Ltd.
企業(yè)簡稱

UMW友臺半導(dǎo)體

中文名稱

廣東友臺半導(dǎo)體有限公司官網(wǎng)

原廠標(biāo)識
數(shù)據(jù)手冊

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更新時(shí)間

2025-2-1 9:02:00

FDD8870規(guī)格書詳情

Features

High performance trench technology for extremely low

RDS(ON)

Low gate charge

High power and current handling capability

VDS =30V

RDS(ON) (at VGS =10V) < 3.9mW

RDS(ON) (at VGS = 4.5V) < 4.4mW

產(chǎn)品屬性

  • 型號:

    FDD8870

  • 功能描述:

    MOSFET 30V N-Channel PowerTrench

  • RoHS:

  • 制造商:

    STMicroelectronics

  • 晶體管極性:

    N-Channel

  • 汲極/源極擊穿電壓:

    650 V

  • 閘/源擊穿電壓:

    25 V

  • 漏極連續(xù)電流:

    130 A 電阻汲極/源極

  • RDS(導(dǎo)通):

    0.014 Ohms

  • 配置:

    Single

  • 安裝風(fēng)格:

    Through Hole

  • 封裝/箱體:

    Max247

  • 封裝:

    Tube

供應(yīng)商 型號 品牌 批號 封裝 庫存 備注 價(jià)格
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TO-252(DPAK)
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