首頁(yè)>FDG1024NZ>芯片詳情

FDG1024NZ_ONSEMI/安森美半導(dǎo)體_MOSFET Dual PT4 N 20/8V芯狀元科技

圖片僅供參考，請(qǐng)參閱產(chǎn)品規(guī)格書

訂購(gòu)數(shù)量 價(jià)格
1+
  • 廠家型號(hào)：

    FDG1024NZ

  • 產(chǎn)品分類：

    芯片

  • 生產(chǎn)廠商：

    ON

  • 庫(kù)存數(shù)量：

    33000

  • 產(chǎn)品封裝：

    SOT23-6

  • 生產(chǎn)批號(hào)：

    2240+

  • 庫(kù)存類型：

    常用庫(kù)存

  • 更新時(shí)間：

    2025-1-18 12:57:00

  • 詳細(xì)信息
  • 規(guī)格書下載

原廠料號(hào)：FDG1024NZ品牌：ON

正規(guī)渠道!只做原裝!自家?guī)齑娆F(xiàn)貨一手貨源!可含稅,支持BOM配單

  • 芯片型號(hào)：

    FDG1024NZ

  • 規(guī)格書：

    下載

  • 企業(yè)簡(jiǎn)稱：

    VBSEMI【微碧半導(dǎo)體】詳情

  • 廠商全稱：

    VBsemi Electronics Co.,Ltd

  • 中文名稱：

    微碧半導(dǎo)體（臺(tái)灣）有限公司

  • 內(nèi)容頁(yè)數(shù)：

    7 頁(yè)

  • 文件大?。?/span>

    932.61 kb

  • 資料說(shuō)明：

    Dual N-Channel 20 V (D-S) MOSFET

產(chǎn)品屬性

  • 類型

    描述

  • 型號(hào)：

    FDG1024NZ

  • 功能描述：

    MOSFET Dual PT4 N 20/8V

  • RoHS：

    否

  • 制造商：

    STMicroelectronics

  • 晶體管極性：

    N-Channel

  • 汲極/源極擊穿電壓：

    650 V

  • 閘/源擊穿電壓：

    25 V

  • 漏極連續(xù)電流：

    130 A 電阻汲極/源極

  • RDS（導(dǎo)通）：

    0.014 Ohms

  • 配置：

    Single

  • 安裝風(fēng)格：

    Through Hole

  • 封裝/箱體：

    Max247

  • 封裝：

    Tube

供應(yīng)商

  • 企業(yè)：

    深圳市芯狀元科技有限公司

  • 商鋪：

    進(jìn)入商鋪

  • 聯(lián)系人：

    王總

  • 手機(jī)：

    13715198985

  • 詢價(jià)：
  • 電話：

    0755-82550713

  • 地址：

    深圳市福田區(qū)沙頭街道金地社區(qū)沙嘴路117號(hào)椰樹花園5棟1單元402

相近型號(hào)