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FDG6301N-F085

DualN-Channel,DigitalFET

Features ?25V,0.22AContinuous,0.65APeak ?RDS(ON)=4Ω@VGS=4.5V, ?RDS(ON)=5Ω@VGS=2.7V. ?VeryLowLevelGateDriveRequirementsallowingDirectop? Erationin3VCircuits(VGS(th)6kVHumanBodyModel) ?CompactIndu

ONSEMION Semiconductor

安森美半導體安森美半導體公司

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更多FDG6301N-F085P供應商 更新時間2025-1-27 15:08:00

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