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FDG6308P_ONSEMI/安森美半導(dǎo)體_MOSFET Dual P-Ch 1.8V Spec Power Trench科恒偉業(yè)二部
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原廠料號(hào):FDG6308P品牌:ON/安森美
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產(chǎn)品屬性
- 類(lèi)型
描述
- 型號(hào):
FDG6308P
- 功能描述:
MOSFET Dual P-Ch 1.8V Spec Power Trench
- RoHS:
否
- 制造商:
STMicroelectronics
- 晶體管極性:
N-Channel
- 汲極/源極擊穿電壓:
650 V
- 閘/源擊穿電壓:
25 V
- 漏極連續(xù)電流:
130 A 電阻汲極/源極
- RDS(導(dǎo)通):
0.014 Ohms
- 配置:
Single
- 安裝風(fēng)格:
Through Hole
- 封裝/箱體:
Max247
- 封裝:
Tube
供應(yīng)商
- 企業(yè):
深圳市科恒偉業(yè)電子有限公司
- 商鋪:
- 聯(lián)系人:
李小姐/黃先生
- 手機(jī):
13424246946
- 詢(xún)價(jià):
- 電話:
0755-82569753
- 傳真:
0755-83205202
- 地址:
深圳市福田區(qū)振興路101號(hào)華勻1棟5樓B14
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