首頁>FDI045N10A>詳情

FDI045N10A_FAIRCHILD/仙童半導(dǎo)體_MOSFET N-CH 100V 120A I2PAK-3華斯頓科技

圖片僅供參考，請參閱產(chǎn)品規(guī)格書

訂購數(shù)量 價(jià)格
1+
  • 廠家型號(hào)：

    FDI045N10A

  • 產(chǎn)品分類：

    IC芯片

  • 生產(chǎn)廠商：

    FAIRCHILD

  • 庫存數(shù)量：

    11100

  • 產(chǎn)品封裝：

    TO-262

  • 生產(chǎn)批號(hào)：

    22+23+

  • 庫存類型：

    常用庫存

  • 更新時(shí)間：

    2025-1-10 16:49:00

  • 詳細(xì)信息
  • 規(guī)格書下載

原廠料號(hào)：FDI045N10A品牌：FAIRCHILD

絕對原裝正品全新進(jìn)口深圳現(xiàn)貨

  • 芯片型號(hào)：

    FDI045N10A

  • 規(guī)格書：

    下載

  • 企業(yè)簡稱：

    FAIRCHILD【仙童半導(dǎo)體】詳情

  • 廠商全稱：

    Fairchild Semiconductor

  • 中文名稱：

    飛兆/仙童半導(dǎo)體公司

  • 內(nèi)容頁數(shù)：

    10 頁

  • 文件大小：

    317.23 kb

  • 資料說明：

    N-Channel PowerTrench? MOSFET 100 V, 164 A, 4.5 m廓

產(chǎn)品屬性

  • 類型

    描述

  • 型號(hào)：

    FDI045N10A

  • 功能描述：

    MOSFET N-CH 100V 120A I2PAK-3

  • RoHS：

    是

  • 類別：

    分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 >> FET - 單

  • 系列：

    PowerTrench®

  • 標(biāo)準(zhǔn)包裝：

    1,000

  • 系列：

    MESH OVERLAY™ FET

  • 型：

    MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET

  • 特點(diǎn)：

    邏輯電平門

  • 漏極至源極電壓(Vdss)：

    200V 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25°

  • C：

    18A 開態(tài)Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25°

  • C：

    180 毫歐 @ 9A，10V Id 時(shí)的

  • Vgs(th)（最大）：

    4V @ 250µA 閘電荷(Qg) @

  • Vgs：

    72nC @ 10V 輸入電容(Ciss) @

  • Vds：

    1560pF @ 25V 功率 -

  • 最大：

    40W

  • 安裝類型：

    通孔

  • 封裝/外殼：

    TO-220-3 整包

  • 供應(yīng)商設(shè)備封裝：

    TO-220FP

  • 包裝：

    管件

供應(yīng)商

  • 企業(yè)：

    深圳市華斯頓科技有限公司

  • 商鋪：

    進(jìn)入商鋪

  • 聯(lián)系人：

    朱先生-余先生-夏小姐-張小姐

  • 手機(jī)：

    13925279453

  • 詢價(jià)：
  • 電話：

    0755-83777708/83777607/82799993

  • 傳真：

    0755-83355559

  • 地址：

    深圳市福田區(qū)華強(qiáng)北上步工業(yè)區(qū)201棟4樓A18室/分公司:深圳市福田區(qū)華強(qiáng)北深紡大廈C座西7樓/市場部:華強(qiáng)北新亞洲電子市場3B047展銷柜

相近型號(hào)