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FDM606P中文資料仙童半導(dǎo)體數(shù)據(jù)手冊(cè)PDF規(guī)格書

FDM606P
廠商型號(hào)

FDM606P

功能描述

P-Channel 1.8V Logic Level Power Trench MOSFET

文件大小

146.19 Kbytes

頁面數(shù)量

6

生產(chǎn)廠商 Fairchild Semiconductor
企業(yè)簡(jiǎn)稱

Fairchild仙童半導(dǎo)體

中文名稱

飛兆/仙童半導(dǎo)體公司官網(wǎng)

原廠標(biāo)識(shí)
數(shù)據(jù)手冊(cè)

下載地址一下載地址二到原廠下載

更新時(shí)間

2024-12-23 19:46:00

FDM606P規(guī)格書詳情

General Description

This P-Channel MOSFET is produced using Fairchild Semiconductor’s advanced PowerTrench process that has been especially tailored to minimize the on-state resistance and yet maintain low gate charge for superior switching performance. These devices are well suited for portable electronics applications.

Features

? Fast switching

? rDS(ON) = 0.026? (Typ), VGS = -4.5V

? rDS(ON) = 0.033? (Typ), VGS = -2.5V

? rDS(ON) = 0.052? (Typ), VGS = -1.8V

Applications

? Load switch

? Battery charge

? Battery disconnect circuits

產(chǎn)品屬性

  • 型號(hào):

    FDM606P

  • 功能描述:

    MOSFET P-Ch Power Trench Logic Level 1.8V

  • RoHS:

  • 制造商:

    STMicroelectronics

  • 晶體管極性:

    N-Channel

  • 汲極/源極擊穿電壓:

    650 V

  • 閘/源擊穿電壓:

    25 V

  • 漏極連續(xù)電流:

    130 A 電阻汲極/源極

  • RDS(導(dǎo)通):

    0.014 Ohms

  • 配置:

    Single

  • 安裝風(fēng)格:

    Through Hole

  • 封裝/箱體:

    Max247

  • 封裝:

    Tube

供應(yīng)商 型號(hào) 品牌 批號(hào) 封裝 庫(kù)存 備注 價(jià)格
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