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FDD86252

N-channelEnhancementModePowerMOSFET

Features ?VDS=150V,ID=50A RDS(ON)

BychipBYCHIP ELECTRONICS CO., LIMITED

百域芯深圳市百域芯科技有限公司

FDD86252

iscN-ChannelMOSFETTransistor

FEATURES ·DrainCurrent:ID=5A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage :VDSS=150V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance :RDS(on)=52mΩ(Max)@VGS=10V ·100avalanchetested ·MinimumLot-to-Lotvariationsforrobustdevice performanceandreliableoperation DESCRIPTION ·motordrive,DC-DCco

ISCInchange Semiconductor Company Limited

無錫固電無錫固電半導(dǎo)體股份有限公司

FDD86252

N-ChannelPowerTrench?MOSFET150V,27A,52m

FairchildFairchild Semiconductor

仙童半導(dǎo)體飛兆/仙童半導(dǎo)體公司

FDMS86252

MaxrDS(on)=51m廓atVGS=10V,ID=4.6A

FairchildFairchild Semiconductor

仙童半導(dǎo)體飛兆/仙童半導(dǎo)體公司

FDS86252

N-ChannelPowerTrench?MOSFET150V,4.5A,55m廓

FairchildFairchild Semiconductor

仙童半導(dǎo)體飛兆/仙童半導(dǎo)體公司

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更多FDM86252供應(yīng)商 更新時間2025-2-3 13:00:00

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