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FDMA410NZT中文資料安森美半導(dǎo)體數(shù)據(jù)手冊(cè)PDF規(guī)格書(shū)

FDMA410NZT
廠商型號(hào)

FDMA410NZT

功能描述

MOSFET – N-Channel, POWERTRENCH, Ultra Thin, 1.5 V 20 V, 9.5 A, 23 m

文件大小

485.92 Kbytes

頁(yè)面數(shù)量

9 頁(yè)

生產(chǎn)廠商 ON Semiconductor
企業(yè)簡(jiǎn)稱

ONSEMI安森美半導(dǎo)體

中文名稱

安森美半導(dǎo)體公司官網(wǎng)

原廠標(biāo)識(shí)
數(shù)據(jù)手冊(cè)

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更新時(shí)間

2024-12-24 19:25:00

FDMA410NZT規(guī)格書(shū)詳情

Description

This Single N?Channel MOSFET has been designed using

ON Semiconductor’s advanced Power Trench process to optimize the

RDS(on) @ VGS = 1.5 V on special MicroFETTM leadframe.

This design is similar to the FDMA410NZ, however it features our

new advanced 0.55 mm max 2 x 2 MLP package technology.

Features

? 0.55 mm max package height MicroFET 2 x 2 mm Package

? Max RDS(on) = 23 m at VGS = 4.5 V, ID = 9.5 A

? Max RDS(on) = 29 m at VGS = 2.5 V, ID = 8.0 A

? Max RDS(on) = 36 m at VGS = 1.8 V, ID = 4.0 A

? Max RDS(on) = 60 m at VGS = 1.5 V, ID = 2.0 A

? HBM ESD protection level > 1.5 kV (Note 3)

? These Devices are Pb?Free, Halogen Free/BFR Free and are RoHS Compliant

Typical Applications

? Li?lon Battery Pack

? Baseband Switch

? Load Switch

? DC?DC Conversion

? Mobile Device Switching

供應(yīng)商 型號(hào) 品牌 批號(hào) 封裝 庫(kù)存 備注 價(jià)格
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