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FDMC86116LZ中文資料安森美半導(dǎo)體數(shù)據(jù)手冊PDF規(guī)格書

FDMC86116LZ
廠商型號

FDMC86116LZ

功能描述

N-Channel Power MOSFET

絲印標識

FDMC86116Z

封裝外殼

WDFN8

文件大小

582.34 Kbytes

頁面數(shù)量

10

生產(chǎn)廠商 ON Semiconductor
企業(yè)簡稱

ONSEMI安森美半導(dǎo)體

中文名稱

安森美半導(dǎo)體公司官網(wǎng)

原廠標識
數(shù)據(jù)手冊

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更新時間

2025-3-11 22:30:00

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FDMC86116LZ規(guī)格書詳情

Features

? Max RDS(on) = 103 m at VGS = 10 V, ID = 3.3 A

? Max RDS(on) = 153 m at VGS = 4.5 V, ID = 2.7 A

? HBM ESD Protection Level > 3 kV Typical (Note 1)

? 100 UIL Tested

? These Devices are Pb?Free and are RoHS Compliant

Applications

? DC?DC Conversion

General Description

This N?Channel logic Level MOSFETs are produced using

onsemi‘s advanced POWERTRENCH process that incorporates

Shielded Gate technology. This process has been optimized for the

on?state resistance and yet maintain superior switching performance.

G?S zener has been added to enhance ESD voltage level.

產(chǎn)品屬性

  • 型號:

    FDMC86116LZ

  • 功能描述:

    MOSFET 100V/20V w/Zener NCH PowerTrench MOSFET

  • RoHS:

  • 制造商:

    STMicroelectronics

  • 晶體管極性:

    N-Channel

  • 汲極/源極擊穿電壓:

    650 V

  • 閘/源擊穿電壓:

    25 V

  • 漏極連續(xù)電流:

    130 A 電阻汲極/源極

  • RDS(導(dǎo)通):

    0.014 Ohms

  • 配置:

    Single

  • 安裝風(fēng)格:

    Through Hole

  • 封裝/箱體:

    Max247

  • 封裝:

    Tube

供應(yīng)商 型號 品牌 批號 封裝 庫存 備注 價格
FAIRCHI
2020+
QFN8
80000
只做自己庫存,全新原裝進口正品假一賠百,可開13%增
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15250
原裝現(xiàn)貨,當(dāng)天可交貨,原型號開票
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