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FDMS86101_ONSEMI/安森美半導(dǎo)體_MOSFET 100/20V Nch Power Trench宇集芯二部

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  • 廠家型號(hào)：

    FDMS86101

  • 產(chǎn)品分類：

    IC芯片

  • 生產(chǎn)廠商：

    ON

  • 庫(kù)存數(shù)量：

    5000

  • 產(chǎn)品封裝：

    PQFN-8L

  • 生產(chǎn)批號(hào)：

    24+

  • 庫(kù)存類型：

    常用庫(kù)存

  • 更新時(shí)間：

    2025-2-11 15:07:00

  • 詳細(xì)信息
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原廠料號(hào)：FDMS86101品牌：ON

一級(jí)代理保證進(jìn)口原裝正品現(xiàn)貨假一罰十價(jià)格合理

  • 芯片型號(hào)：

    FDMS86101

  • 規(guī)格書：

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  • 企業(yè)簡(jiǎn)稱：

    ONSEMI【安森美半導(dǎo)體】詳情

  • 廠商全稱：

    ON Semiconductor

  • 中文名稱：

    安森美半導(dǎo)體公司

  • 內(nèi)容頁(yè)數(shù)：

    10 頁(yè)

  • 文件大小：

    561.648 kb

  • 資料說明：

    類型：N溝道 漏源電壓(Vdss)：100V 連續(xù)漏極電流(Id)：12.4A 功率(Pd)：2.5W 導(dǎo)通電阻(RDS(on)@Vgs,Id)：8mΩ@10V,13A N 溝道，PowerTrench MOSFET，100V，60A，8mΩ 此 N 溝道 MOSFET 是使用先進(jìn)的 PowerTrench 工藝生產(chǎn)的，特別適用于最大程度降低導(dǎo)通電阻，同時(shí)保持卓越的

產(chǎn)品屬性

  • 類型

    描述

  • 型號(hào)：

    FDMS86101

  • 功能描述：

    MOSFET 100/20V Nch Power Trench

  • RoHS：

    否

  • 制造商：

    STMicroelectronics

  • 晶體管極性：

    N-Channel

  • 汲極/源極擊穿電壓：

    650 V

  • 閘/源擊穿電壓：

    25 V

  • 漏極連續(xù)電流：

    130 A 電阻汲極/源極

  • RDS（導(dǎo)通）：

    0.014 Ohms

  • 配置：

    Single

  • 安裝風(fēng)格：

    Through Hole

  • 封裝/箱體：

    Max247

  • 封裝：

    Tube

供應(yīng)商

  • 企業(yè)：

    深圳市宇集芯電子有限公司

  • 商鋪：

    進(jìn)入商鋪

  • 聯(lián)系人：

    肖經(jīng)理

  • 手機(jī)：

    13430772257

  • 詢價(jià)：
  • 電話：

    0755-28708773

  • 傳真：

    0755-28708773

  • 地址：

    深圳市福田區(qū)賽格科技園4棟中座10樓10A22室

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