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FDN306P_ONSEMI/安森美半導(dǎo)體_MOSFET P-Ch PowerTrench Specified 1.8V芯球通科技
- 詳細(xì)信息
- 規(guī)格書下載
產(chǎn)品屬性
- 類型
描述
- 型號:
FDN306P
- 功能描述:
MOSFET P-Ch PowerTrench Specified 1.8V
- RoHS:
否
- 制造商:
STMicroelectronics
- 晶體管極性:
N-Channel
- 汲極/源極擊穿電壓:
650 V
- 閘/源擊穿電壓:
25 V
- 漏極連續(xù)電流:
130 A 電阻汲極/源極
- RDS(導(dǎo)通):
0.014 Ohms
- 配置:
Single
- 安裝風(fēng)格:
Through Hole
- 封裝/箱體:
Max247
- 封裝:
Tube
供應(yīng)商
- 企業(yè):
深圳市芯球通科技有限公司
- 商鋪:
- 聯(lián)系人:
王經(jīng)理
- 手機:
13760231281
- 詢價:
- 電話:
0755-23816608/13760231281
- 傳真:
0755-23816808
- 地址:
深圳市福田區(qū)華強北街道上步工業(yè)區(qū)101棟510室
相近型號
- FDN302P-NL
- FDN327NMOS
- FDN302P
- FDN327N-NL
- FDN331N
- FDN301N-NL
- FDN335N
- FDN147B
- FDN335NMOS
- FDN147
- FDN143
- FDN335N-NL
- FDN028N20
- FDMW2512NZ
- FDN336P
- FDMT80080DC
- FDN336P(UMW)
- FDMT80060DC
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- FDN336P-NL
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- FDN338
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