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FDN308P中文資料仙童半導(dǎo)體數(shù)據(jù)手冊(cè)PDF規(guī)格書

FDN308P
廠商型號(hào)

FDN308P

功能描述

P-Channel 2.5V Specified PowerTrench MOSFET

文件大小

96.53 Kbytes

頁(yè)面數(shù)量

5 頁(yè)

生產(chǎn)廠商 Fairchild Semiconductor
企業(yè)簡(jiǎn)稱

Fairchild仙童半導(dǎo)體

中文名稱

飛兆/仙童半導(dǎo)體公司官網(wǎng)

原廠標(biāo)識(shí)
數(shù)據(jù)手冊(cè)

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更新時(shí)間

2025-2-11 8:10:00

FDN308P規(guī)格書詳情

General Description

This P-Channel 2.5V specified MOSFET uses a rugged gate version of Fairchild’s advanced PowerTrench process. It has been optimized for power management

applications with a wide range of gate drive voltage (2.5V – 12V).

Features

? –20 V, –1.5 A. Rds(on)= 125 m?@ Vgs= –4.5 V

Rds(on)= 190 m?@ Vgs= –2.5 V

? Fast switching speed

? High performance trench technology for extremely low Rds(on)

? SuperSOT -3 provides low RDS(ON)and 30 higher power handling capability than SOT23 in the same footprint

產(chǎn)品屬性

  • 型號(hào):

    FDN308P

  • 功能描述:

    MOSFET P-Ch PowerTrench Specified 2.5V

  • RoHS:

  • 制造商:

    STMicroelectronics

  • 晶體管極性:

    N-Channel

  • 汲極/源極擊穿電壓:

    650 V

  • 閘/源擊穿電壓:

    25 V

  • 漏極連續(xù)電流:

    130 A 電阻汲極/源極

  • RDS(導(dǎo)通):

    0.014 Ohms

  • 配置:

    Single

  • 安裝風(fēng)格:

    Through Hole

  • 封裝/箱體:

    Max247

  • 封裝:

    Tube

供應(yīng)商 型號(hào) 品牌 批號(hào) 封裝 庫(kù)存 備注 價(jià)格
FAIRCHILD/仙童
24+
SOT23
154557
明嘉萊只做原裝正品現(xiàn)貨
詢價(jià)
FAIRCHILD/仙童
22+
SOT23-3
25502
鄭重承諾只做原裝進(jìn)口現(xiàn)貨
詢價(jià)
ON/安森美
6000
詢價(jià)
ON/安森美
24+
SMD
12000
只做原裝正品上傳就有貨假一賠十
詢價(jià)
Onsemi
22
6000
全新、原裝
詢價(jià)
ON/安森美
23+
SOT-23
3000
只做原裝 假一賠十
詢價(jià)
友臺(tái)
23+
SOT-23
11000
優(yōu)勢(shì)原裝現(xiàn)貨假一賠十
詢價(jià)
onsemi(安森美)
23+
SuperSOT3
6000
誠(chéng)信服務(wù),絕對(duì)原裝原盤
詢價(jià)
ir
2023+
SOT-23
80000
一級(jí)代理/分銷渠道價(jià)格優(yōu)勢(shì) 十年芯程一路只做原裝正品
詢價(jià)
FAIRCHILD/仙童
21+
SOT-23
30000
優(yōu)勢(shì)供應(yīng) 實(shí)單必成 可13點(diǎn)增值稅
詢價(jià)