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FDN308P中文資料翊歐數(shù)據(jù)手冊PDF規(guī)格書

FDN308P
廠商型號(hào)

FDN308P

功能描述

P-Channel 2.5 V (D-S) MOSFET

絲印標(biāo)識(shí)

308

封裝外殼

SOT-23

文件大小

331.64 Kbytes

頁面數(shù)量

5

生產(chǎn)廠商 EVER SEMICONDUCTOR CO.,LIMITED
企業(yè)簡稱

EVVOSEMI翊歐

中文名稱

翊歐半導(dǎo)體官網(wǎng)

原廠標(biāo)識(shí)
數(shù)據(jù)手冊

下載地址一下載地址二

更新時(shí)間

2025-1-31 23:00:00

FDN308P規(guī)格書詳情

Applications

Power management

Load switch

Battery protection

Features

VDS (V) = -20V

RDS(ON)< 100m? (VGS = -4.5V)

RDS(ON)

產(chǎn)品屬性

  • 型號(hào):

    FDN308P

  • 功能描述:

    MOSFET P-Ch PowerTrench Specified 2.5V

  • RoHS:

  • 制造商:

    STMicroelectronics

  • 晶體管極性:

    N-Channel

  • 汲極/源極擊穿電壓:

    650 V

  • 閘/源擊穿電壓:

    25 V

  • 漏極連續(xù)電流:

    130 A 電阻汲極/源極

  • RDS(導(dǎo)通):

    0.014 Ohms

  • 配置:

    Single

  • 安裝風(fēng)格:

    Through Hole

  • 封裝/箱體:

    Max247

  • 封裝:

    Tube

供應(yīng)商 型號(hào) 品牌 批號(hào) 封裝 庫存 備注 價(jià)格
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