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FQP11N50CF	文件：1.27172 Mbytes Page：10 Pages	500VN-ChannelMOSFET Description TheseN-ChannelenhancementmodepowerfieldeffecttransistorsareproducedusingFairchild’sproprietary,planarstripe,DMOStechnology. Thisadvancedtechnologyhasbeenespeciallytailoredtominimizeon-stateresistance,providesuperiorswitchingperformance,andwithstandhig	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半導(dǎo)體飛兆/仙童半導(dǎo)體公司	Fairchild
FQPF11N50CF	文件：1.27172 Mbytes Page：10 Pages	500VN-ChannelMOSFET Description TheseN-ChannelenhancementmodepowerfieldeffecttransistorsareproducedusingFairchild’sproprietary,planarstripe,DMOStechnology. Thisadvancedtechnologyhasbeenespeciallytailoredtominimizeon-stateresistance,providesuperiorswitchingperformance,andwithstandhig	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半導(dǎo)體飛兆/仙童半導(dǎo)體公司	Fairchild
FQPF11N50CF	文件：277.64 Kbytes Page：2 Pages	iscN-ChannelMOSFETTransistor FEATURES ·DrainCurrent-ID=11A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage-VDSS=500V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance -RDS(on)=0.55Ω(Max)@VGS=10V DESCRIPTION ·Motordrive,DC-DCconverter,powerswitch andsolenoiddrive.	ISCInchange Semiconductor Company Limited 無錫固電無錫固電半導(dǎo)體股份有限公司	ISC
IRFB11N50	文件：100.63 Kbytes Page：8 Pages	PowerMOSFET(Vdss=500V,Rds(on)max=0.52ohm,Id=11A) Benefits LowGateChargeQgresultsinSimpleDriveRequirement ImprovedGate,Avalancheanddynamicdv/dtRuggedness FullyCharacterizedCapacitanceandAvalancheVoltageandCurrent Applications SwitchModePowerSupply(SMPS) UninterruptablePowerSupply Highspeedpowe	IRF International Rectifier	IRF
IRFB11N50A	文件：100.63 Kbytes Page：8 Pages	PowerMOSFET(Vdss=500V,Rds(on)max=0.52ohm,Id=11A) Benefits LowGateChargeQgresultsinSimpleDriveRequirement ImprovedGate,Avalancheanddynamicdv/dtRuggedness FullyCharacterizedCapacitanceandAvalancheVoltageandCurrent Applications SwitchModePowerSupply(SMPS) UninterruptablePowerSupply Highspeedpowe	IRF International Rectifier	IRF
IRFB11N50A	文件：159.78 Kbytes Page：8 Pages	PowerMOSFET	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半導(dǎo)體	Vishay
IRFB11N50A	文件：178.24 Kbytes Page：8 Pages	PowerMOSFET	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半導(dǎo)體	Vishay
IRFB11N50A	文件：371.39 Kbytes Page：2 Pages	iscN-ChannelMOSFETTransistor FEATURES ·DrainCurrent-ID=11A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage-VDSS=500V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance -RDS(on)=0.52Ω(Max)@VGS=10V DESCRIPTION ·Motordrive,DC-DCconverter,powerswitch andsolenoiddrive.	ISCInchange Semiconductor Company Limited 無錫固電無錫固電半導(dǎo)體股份有限公司	ISC
IRFB11N50APBF	文件：159.78 Kbytes Page：8 Pages	PowerMOSFET	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半導(dǎo)體	Vishay
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IRFS11N50A	文件：322.03 Kbytes Page：2 Pages	iscN-ChannelMOSFETTransistor ?DESCRITION ?SwitchingVoltageRegulators ?FEATURES ?Lowdrain-sourceon-resistance: RDS(ON)=0.52?(MAX) ?Enhancementmode: Vth=2.0to4.0V(VDS=10V,ID=0.25mA) ?100avalanchetested ?MinimumLot-to-Lotvariationsforrobustdevice performanceandreliableoperation	ISCInchange Semiconductor Company Limited 無錫固電無錫固電半導(dǎo)體股份有限公司	ISC
IRFS11N50A	文件：989.99 Kbytes Page：8 Pages	PowerMOSFET FEATURES ?LowGateChargeQgresultsinSimpleDrive ??Requirement ?ImprovedGate,AvalancheandDynamicdV/dt ??Ruggedness ?FullyCharacterizedCapacitanceand ??AvalancheVoltageandCurrent ?EffectiveCossSpecified ?Lead(Pb)-freeAvailable APPLICATIONS ?SwitchModePowerSu	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半導(dǎo)體	Vishay
IRFS11N50A	文件：118.81 Kbytes Page：9 Pages	SMPSMOSFET Benefits ?LowGateChargeQgresultsinSimpleDriveRequirement ?ImprovedGate,Avalancheanddynamicdv/dtRuggedness ?FullyCharacterizedCapacitanceandAvalancheVoltageandCurrent ?EffectiveCossSpecified(SeeAN1001) Applications ?SwitchModePowerSupply(SMPS) ?Uninterr	IRF International Rectifier	IRF
IRFS11N50A	文件：351.68 Kbytes Page：10 Pages	PowerMOSFET	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半導(dǎo)體	Vishay
IRFS11N50A	文件：350.04 Kbytes Page：10 Pages	PowerMOSFET	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半導(dǎo)體	Vishay
IRFS11N50APBF	文件：989.99 Kbytes Page：8 Pages	PowerMOSFET FEATURES ?LowGateChargeQgresultsinSimpleDrive ??Requirement ?ImprovedGate,AvalancheandDynamicdV/dt ??Ruggedness ?FullyCharacterizedCapacitanceand ??AvalancheVoltageandCurrent ?EffectiveCossSpecified ?Lead(Pb)-freeAvailable APPLICATIONS ?SwitchModePowerSu	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半導(dǎo)體	Vishay
IRFS11N50APBF	文件：817.63 Kbytes Page：9 Pages	HEXFET?PowerMOSFET	IRF International Rectifier	IRF
IRFS11N50APBF	文件：350.04 Kbytes Page：10 Pages	PowerMOSFET	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半導(dǎo)體	Vishay
IRFS11N50ATRL	文件：989.99 Kbytes Page：8 Pages	PowerMOSFET FEATURES ?LowGateChargeQgresultsinSimpleDrive ??Requirement ?ImprovedGate,AvalancheandDynamicdV/dt ??Ruggedness ?FullyCharacterizedCapacitanceand ??AvalancheVoltageandCurrent ?EffectiveCossSpecified ?Lead(Pb)-freeAvailable APPLICATIONS ?SwitchModePowerSu	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半導(dǎo)體	Vishay
IRFS11N50ATRLPA	文件：350.04 Kbytes Page：10 Pages	PowerMOSFET	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半導(dǎo)體	Vishay

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貿(mào)澤芯城（深圳）電子科技有限公司	FDPF11N50	FAIRCHILD/仙童	23+	TO220	10000	原廠授權(quán)一級(jí)代理,專業(yè)海外優(yōu)勢(shì)訂貨,價(jià)格優(yōu)勢(shì)、品種	詢價(jià)
深圳市一線半導(dǎo)體有限公司	FDPF12N35	FAIRCHILD	24+	TO-220F	8866		詢價(jià)
深圳市永貝爾科技有限公司	FDPF12N35	FAIRCHILD	23+	NA	19960	只做進(jìn)口原裝,終端工廠免費(fèi)送樣	詢價(jià)
中天科工半導(dǎo)體（深圳）有限公司	FDPF12N35	FAIRCHILD/仙童	20+	TO-220F	36900	原裝優(yōu)勢(shì)主營型號(hào)-可開原型號(hào)增稅票	詢價(jià)
深圳市國宇半導(dǎo)體科技有限公司	FDPF12N35	FAIRCHILD/仙童	23+	TO-220F	32500	公司只做原裝正品	詢價(jià)
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深圳市河鋒鑫科技有限公司	FDPF12N35	Fairchild/ON	22+	TO2203	9000	原廠渠道,現(xiàn)貨配單	詢價(jià)
深圳廊盛科技有限公司	FDPF12N35	FAIRCHILD/仙童	2022	TO-220F	80000	原裝現(xiàn)貨,OEM渠道,歡迎咨詢	詢價(jià)
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更多FDPF11N50供應(yīng)商更新時(shí)間2025-1-5 11:10:00

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