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FDPF8N50NZ	文件：298.83 Kbytes Page：14 Pages	DESIGN/PROCESSCHANGENOTIFICATION Description SuperFET?IIMOSFETisFairchildSemiconductor?’sfirstgenerationofhighvoltagesuper-junction(SJ)MOSFETfamilythatisutilizingchargebalancetechnologyforoutstandinglowon-resistanceandlowergatechargeperformance.Thisadvancedtechnologyistailoredtominimizeconducti	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半導(dǎo)體飛兆/仙童半導(dǎo)體公司	Fairchild
FDPF8N50NZ	文件：882.62 Kbytes Page：10 Pages	N-ChannelUniFETTMIIMOSFET500V,8A,850m? Features ?RDS(on)=770m?(Typ.)@VGS=10V,ID=4A ?LowGateCharge(Typ.14nC) ?LowCrss(Typ.5pF) ?100AvalancheTested ?Improvedv/dtCapability ?ESDImprovedCapability ?RoHSCompliant Applications ?LCD/LEDTV?UninterruptiblePowerSupply ?Lighting?AC-DCPower	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半導(dǎo)體飛兆/仙童半導(dǎo)體公司	Fairchild
FDPF8N50NZF	文件：479.05 Kbytes Page：9 Pages	N-ChannelMOSFET500V,7A,1廓	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半導(dǎo)體飛兆/仙童半導(dǎo)體公司	Fairchild
FDPF8N50NZF	文件：298.83 Kbytes Page：14 Pages	DESIGN/PROCESSCHANGENOTIFICATION Description SuperFET?IIMOSFETisFairchildSemiconductor?’sfirstgenerationofhighvoltagesuper-junction(SJ)MOSFETfamilythatisutilizingchargebalancetechnologyforoutstandinglowon-resistanceandlowergatechargeperformance.Thisadvancedtechnologyistailoredtominimizeconducti	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半導(dǎo)體飛兆/仙童半導(dǎo)體公司	Fairchild
FDPF8N50NZT	文件：379.92 Kbytes Page：10 Pages	N-ChannelUniFETIIMOSFET	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半導(dǎo)體飛兆/仙童半導(dǎo)體公司	Fairchild
FDPF8N50NZU	文件：298.83 Kbytes Page：14 Pages	DESIGN/PROCESSCHANGENOTIFICATION Description SuperFET?IIMOSFETisFairchildSemiconductor?’sfirstgenerationofhighvoltagesuper-junction(SJ)MOSFETfamilythatisutilizingchargebalancetechnologyforoutstandinglowon-resistanceandlowergatechargeperformance.Thisadvancedtechnologyistailoredtominimizeconducti	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半導(dǎo)體飛兆/仙童半導(dǎo)體公司	Fairchild
HMS8N50I	文件：935.83 Kbytes Page：7 Pages	500VN-ChannelMOSFET	HMSEMIShenzhen Huazhimei Semiconductor Co., Ltd 華之美半導(dǎo)體深圳市華之美半導(dǎo)體有限公司	HMSEMI
HMS8N50K	文件：935.83 Kbytes Page：7 Pages	500VN-ChannelMOSFET	HMSEMIShenzhen Huazhimei Semiconductor Co., Ltd 華之美半導(dǎo)體深圳市華之美半導(dǎo)體有限公司	HMSEMI
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IRFIB8N50KPBF	文件：173.91 Kbytes Page：8 Pages	HEXFETPowerMOSFET	IRF International Rectifier	IRF
IXFP8N50	文件：296.04 Kbytes Page：2 Pages	iscN-ChannelMOSFETTransistor FEATURES ·DrainCurrent-ID=8A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage-VDSS=500V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance -RDS(on)=800mΩ(Max)@VGS=10V DESCRIPTION ·Motordrive,DC-DCconverter,powerswitch andPFCCircuits..	ISCInchange Semiconductor Company Limited 無(wú)錫固電無(wú)錫固電半導(dǎo)體股份有限公司	ISC
IXFP8N50PM	文件：112.59 Kbytes Page：2 Pages	PolarHVHiPerFETPowerMOSFET	IXYS IXYS Corporation	IXYS
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MS8N50	文件：413.27 Kbytes Page：4 Pages	N-ChannelEnhancementModePowerMOSFET	BWTECH Bruckewell Technology LTD	BWTECH

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