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FDR1100F	文件：276.78 Kbytes Page：3 Pages	Schottky Barrier Rectifiers Reverse Voltage 20 to 200V Forward Current 1.0A	FS First Silicon Co., Ltd	FS
FH1100	文件：17.81 Kbytes Page：1 Pages	SILICONDIODE DESCRIPTION: TheASIFH1100isaSiliconDiffusedHotCarrierDiode. FEATURESINCLUDE: ?QS=1.6pCTyp. ?C=1.0pFMax.@f=890MHz ?HermeticGlassPackage	ASI Advanced Semiconductor	ASI
FIDO1100	文件：1.99986 Mbytes Page：74 Pages	32-BitReal-TimeCommunicationsController	Innovasic Innovasic Semiconductor	Innovasic
FJH1100	文件：122.66 Kbytes Page：5 Pages	UltraLowLeakageDiode GeneralDescription AnUltralowleakagediodeintheDO-35package.Theforwardvoltageistypicallygreaterthan0.5voltsat1.0micro-ampere. Thisproductislightsensitive,anydamagetothebodycoatingwillaffectthereverseleakagewhenexposedtolight.	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半導體飛兆/仙童半導體公司	Fairchild
FJH1100	文件：45.35 Kbytes Page：2 Pages	UltraLowLeakageDiode	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半導體飛兆/仙童半導體公司	Fairchild
FJT1100	文件：29.06 Kbytes Page：1 Pages	UltraLowLeakageDiodes	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半導體飛兆/仙童半導體公司	Fairchild
FJT1100	文件：61.79 Kbytes Page：1 Pages	ULTRALOWLEAKAGEDIODES	DIGITRON Digitron Semiconductors	DIGITRON
FLS-1100	文件：232.1 Kbytes Page：3 Pages	LOWPASSFILTER	SYNERGY Synergy Microwave Corporation	SYNERGY
FM1100	文件：68.87 Kbytes Page：2 Pages	Siliconepitaxialplanertype Siliconepitaxialplanertype Features PlasticpackagehasUnderwritersLaboratory FlammabilityClassification94V-OUtilizingFlame RetardantEpoxyMoldingCompound. Forsurfacemountedapplications. ExceedsenvironmentalstandardsofMIL-S-19500/228 Lowleakagecurrent.	FORMOSAFormosa MS 美麗微半導體美麗微半導體股份有限公司	FORMOSA
FM1100	文件：71.15 Kbytes Page：2 Pages	ChipSchottkyBarrierDiodes-Siliconepitaxialplanertype Features PlasticpackagehasUnderwritersLaboratoryFlammabilityClassification94V-OUtilizingFlameRetardantEpoxyMoldingCompound. Forsurfacemountedapplications. ExceedsenvironmentalstandardsofMIL-S-19500/228 Lowleakagecurrent.	FORMOSAFormosa MS 美麗微半導體美麗微半導體股份有限公司	FORMOSA
FM1100	文件：910.12 Kbytes Page：5 Pages	1.0ASurfaceMountSchottkyBarrierRectifiers-20V-200V Features ?Batchprocessdesign,excellentpowerdissipationoffersbetterreverseleakagecurrentandthermalresistance. ?Lowprofilesurfacemountedapplicationinordertooptimizeboardspace. ?Lowpowerloss,highefficiency. ?Highcurrentcapability,lowforwardvoltagedrop.	CHENDAMicrodiode Electronics (Jiangsu) Co.,Ltd. 深圳辰達半導體深圳辰達半導體有限公司	CHENDA
FM1100	文件：269.45 Kbytes Page：6 Pages	SURFACEMOUNTSCHOTTKYBARRIERRECTIFIERVOLTAGERANGE20to200VoltsCURRENT1.0Ampere FEATURES Lowswitchingnoise Lowforwardvoltagedrop Highcurrentcapability Highswitchingcapability Highsurgecapabitity Highreliability P/NsuffixVmeansAEC-Q101qualified,e.g:FM120V P/NsuffixVmeansHalogen-free	RECTRON Rectron Semiconductor	RECTRON
FM1100B	文件：31.86 Kbytes Page：3 Pages	SURFACEMOUNTSCHOTTKYBARRIERRECTIFIERVOLTAGERANGE80to100VoltsCURRENT1.0Ampere	RECTRON Rectron Semiconductor	RECTRON
FM1100B	文件：286.28 Kbytes Page：6 Pages	SURFACEMOUNTSCHOTTKYBARRIERRECTIFIERVOLTAGERANGE20to200VoltsCURRENT1.0Ampere FEATURES Lowswitchingnoise Lowforwardvoltagedrop Highcurrentcapability Highswitchingcapability Highsurgecapabitity Highreliability P/NsuffixVmeansAEC-Q101qualified,e.g:FM120BV P/NsuffixVmeansHalogen-free	RECTRON Rectron Semiconductor	RECTRON
FM1100L	文件：359.12 Kbytes Page：4 Pages	SURFACEMOUNTSCHOTTKYBARRIERRECTIFIERVOLTAGERANGE20to200VoltsCURRENT1.0Ampere	RECTRON Rectron Semiconductor	RECTRON
FM1100-L	文件：71.15 Kbytes Page：2 Pages	ChipSchottkyBarrierDiodes-Siliconepitaxialplanertype Features PlasticpackagehasUnderwritersLaboratoryFlammabilityClassification94V-OUtilizingFlameRetardantEpoxyMoldingCompound. Forsurfacemountedapplications. ExceedsenvironmentalstandardsofMIL-S-19500/228 Lowleakagecurrent.	FORMOSAFormosa MS 美麗微半導體美麗微半導體股份有限公司	FORMOSA
FM1100-L	文件：173.18 Kbytes Page：7 Pages	ChipSchottkyBarrierRectifier	FORMOSAFormosa MS 美麗微半導體美麗微半導體股份有限公司	FORMOSA
FM1100-LN	文件：72.19 Kbytes Page：2 Pages	ChipSchottkyBarrierDiodes-Siliconepitaxialplanertype Siliconepitaxialplanertype Features PlasticpackagehasUnderwritersLaboratory FlammabilityClassification94V-OUtilizingFlame RetardantEpoxyMoldingCompound. Forsurfacemountedapplications. ExceedsenvironmentalstandardsofMIL-S-19500/228 Lowleakagecurrent.	FORMOSAFormosa MS 美麗微半導體美麗微半導體股份有限公司	FORMOSA
FM1100-M	文件：130.28 Kbytes Page：2 Pages	SILICONEPITAXIALPLANCETYPE FEATURES ?PlasticpackagehasUnderwritersLaboratory ?Flammabilityclassification94V-0UtilizingFame ?RetardantEpoxyMoldingCompound ?Forsurfacemountapplications ?ExceedsenvironmentalstandardsofMIL-S-19500/228 ?Lowleakagecurrent.	PACELEADERPACELEADER INDUSTRIAL 霈峰霈峰實業(yè)有限公司	PACELEADER
FM1100-M	文件：69.84 Kbytes Page：2 Pages	Siliconepitaxialplanertype Siliconepitaxialplanertype Features PlasticpackagehasUnderwritersLaboratory FlammabilityClassification94V-OUtilizingFlame RetardantEpoxyMoldingCompound. Forsurfacemountedapplications. ExceedsenvironmentalstandardsofMIL-S-19500/228 Lowleakagecurrent.	FORMOSAFormosa MS 美麗微半導體美麗微半導體股份有限公司	FORMOSA

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兆億微波(北京)科技有限公司	FDR-1-2	RFbay			700		詢價
貿澤芯城（深圳）電子科技有限公司	FDR-156/108B	3AM	23+	Null	10000	原廠授權一級代理,專業(yè)海外優(yōu)勢訂貨,價格優(yōu)勢、品種	詢價
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更多FDR1100F供應商更新時間2024-11-12 16:51:00

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