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FDR8305N中文資料仙童半導體數(shù)據(jù)手冊PDF規(guī)格書

FDR8305N
廠商型號

FDR8305N
功能描述

Dual N-Channel 2.5V Specified PowerTrench MOSFET
文件大小

215.81 Kbytes
頁面數(shù)量

8 頁
生產(chǎn)廠商 Fairchild Semiconductor
企業(yè)簡稱

Fairchild【仙童半導體】

中文名稱

飛兆/仙童半導體公司官網(wǎng)
原廠標識
數(shù)據(jù)手冊

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更新時間

2025-5-5 23:00:00
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FDR8305N規(guī)格書詳情

General Description

These N-Channel 2.5V specified MOSFETs are produced using Fairchild Semiconductors advanced PowerTrench process that has been especially tailored to minimize the on-state resistance and yet maintain low gate charge for superior switching performance.

Features

? 4.5 A, 20 V. RDS(ON) = 0.022 ? @ VGS = 4.5 V RDS(ON) = 0.028 ? @ VGS = 2.5 V.

? Low gate charge (16.2nC typical).

? Fast switching speed.

? High performance trench technology for extremely low RDS(ON).

? Small footprint (38 smaller than a standard SO-8);low profile package (1 mm thick); power handling capability similar to SO-8.

Applications

? Load switch

? Motor driving

? Power Management

產(chǎn)品屬性

  • 型號：

    FDR8305N

  • 功能描述：

    MOSFET SSOT-8 N-CH DUAL 20V

  • RoHS：

    否

  • 制造商：

    STMicroelectronics

  • 晶體管極性：

    N-Channel

  • 汲極/源極擊穿電壓：

    650 V

  • 閘/源擊穿電壓：

    25 V

  • 漏極連續(xù)電流：

    130 A 電阻汲極/源極

  • RDS（導通）：

    0.014 Ohms

  • 配置：

    Single

  • 安裝風格：

    Through Hole

  • 封裝/箱體：

    Max247

  • 封裝：

    Tube

供應商 型號 品牌 批號 封裝 庫存 備注 價格
onsemi(安森美)
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