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FDS6679Z中文資料仙童半導體數(shù)據(jù)手冊PDF規(guī)格書

FDS6679Z
廠商型號

FDS6679Z

功能描述

30 Volt P-Channel PowerTrench MOSFET

文件大小

66.55 Kbytes

頁面數(shù)量

5

生產(chǎn)廠商 Fairchild Semiconductor
企業(yè)簡稱

Fairchild仙童半導體

中文名稱

飛兆/仙童半導體公司官網(wǎng)

原廠標識
數(shù)據(jù)手冊

下載地址一下載地址二到原廠下載

更新時間

2025-2-1 18:01:00

FDS6679Z規(guī)格書詳情

This P-Channel MOSFET has been designed specifically to improve the overall efficiency of DC/DC converters using either synchronous or conventional switching PWM controllers, and battery chargers. These MOSFETs feature faster switching and lower gate charge than other MOSFETs with comparable RDS(ON) specifications.

Features

· –13 A, –30 V. RDS(ON) = 9 mW @ VGS = –10 V

RDS(ON) = 13 mW @ VGS = – 4.5 V

· Extended VGSS range (±25V) for battery applications

· High performance trench technology for extremely low RDS(ON)

· High power and current handling capability

產(chǎn)品屬性

  • 型號:

    FDS6679Z

  • 功能描述:

    MOSFET SO-8

  • RoHS:

  • 制造商:

    STMicroelectronics

  • 晶體管極性:

    N-Channel

  • 汲極/源極擊穿電壓:

    650 V

  • 閘/源擊穿電壓:

    25 V

  • 漏極連續(xù)電流:

    130 A 電阻汲極/源極

  • RDS(導通):

    0.014 Ohms

  • 配置:

    Single

  • 安裝風格:

    Through Hole

  • 封裝/箱體:

    Max247

  • 封裝:

    Tube

供應商 型號 品牌 批號 封裝 庫存 備注 價格
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