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FDT86106LZ_ONSEMI/安森美半導(dǎo)體_MOSFET 100V N-Channel PowerTrench MOSFET英科美電子
- 詳細(xì)信息
- 規(guī)格書下載
產(chǎn)品屬性
- 類型
描述
- 型號:
FDT86106LZ
- 功能描述:
MOSFET 100V N-Channel PowerTrench MOSFET
- RoHS:
否
- 制造商:
STMicroelectronics
- 晶體管極性:
N-Channel
- 汲極/源極擊穿電壓:
650 V
- 閘/源擊穿電壓:
25 V
- 漏極連續(xù)電流:
130 A 電阻汲極/源極
- RDS(導(dǎo)通):
0.014 Ohms
- 配置:
Single
- 安裝風(fēng)格:
Through Hole
- 封裝/箱體:
Max247
- 封裝:
Tube
供應(yīng)商
- 企業(yè):
深圳市英科美電子有限公司
- 商鋪:
- 聯(lián)系人:
張先生
- 手機(jī):
15507502698
- 詢價(jià):
- 電話:
0755-23903058
- 傳真:
0755-23905869
- 地址:
深圳市福田區(qū)振興路西101號華勻大廈1棟730
相近型號
- FDT86113LZ-VB
- FDT790A
- FDT7721
- FDT86244
- FDT7205L50P
- FDT7204S80P
- FDT86244-NL
- FDT7204L80P
- FDT86246
- FDT7204L50P
- FDT86246L
- FDT7204L120P
- FDT71256S20TP
- FDT86256
- FDT7024-S55PF
- FDT86256L
- FDT7020
- FDT6N60
- FDT6167/LA35P
- FDTA1003014
- FDTB3
- FDT55AN06LA0
- FDTC501012M00302
- FDT55AN06A0
- FD-TEG013SF1-GA8-5
- FDT5060L
- FDTT2-6-20
- FDT5060
- FDU:51457071220001
- FDT4N50NZU
- FDU044AN03L
- FDT49FCT805ASO
- FDT461N-NL
- FDU0650-H-R13M=P3
- FDU0650-H-R24M=P3
- FDT461N
- FDU0650-H-R39M=P3
- FDU0650-H-R50M=P3
- FDT459N-VB
- FDU0650-H-R56M=P3
- FDT459N-NL
- FDU0650-H-R82M=P3
- FDU0650-R13M=P3
- FDT459NMOS
- FDU0650-R24M
- FDT459N
- FDU0650-R24M=P3
- FDT459
- FDU0650-R39M=P3
- FDT458P-NL-VB