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FDW2509NZ中文資料仙童半導(dǎo)體數(shù)據(jù)手冊PDF規(guī)格書

FDW2509NZ
廠商型號

FDW2509NZ

功能描述

Common Drain N-Channel 2.5V Specified PowerTrench MOSFET

文件大小

105.24 Kbytes

頁面數(shù)量

5

生產(chǎn)廠商 Fairchild Semiconductor
企業(yè)簡稱

Fairchild仙童半導(dǎo)體

中文名稱

飛兆/仙童半導(dǎo)體公司官網(wǎng)

原廠標(biāo)識
數(shù)據(jù)手冊

下載地址一下載地址二到原廠下載

更新時間

2024-12-22 23:00:00

FDW2509NZ規(guī)格書詳情

General Description

This N-Channel 2.5V specified MOSFET is a rugged gate version of Fairchild’s Semiconductor’s advanced PowerTrench process. It has been optimized for power management applications with a wide range of gate drive voltage (2.5V – 12V).

Features

● 7.1 A, 20 V.

RDS(ON) = 20 mW @ VGS = 4.5 V

RDS(ON) = 26 mW @ VGS = 2.5 V

● Extended VGSS range (±12V) for battery applications

● ESD protection diode (note 3)

● High performance trench technology for extremely low RDS(ON)

● Low profile TSSOP-8 package

Applications

Li-Ion Battery Pack

產(chǎn)品屬性

  • 型號:

    FDW2509NZ

  • 功能描述:

    MOSFET 2.5V N-Ch MOSFET Common Drain

  • RoHS:

  • 制造商:

    STMicroelectronics

  • 晶體管極性:

    N-Channel

  • 汲極/源極擊穿電壓:

    650 V

  • 閘/源擊穿電壓:

    25 V

  • 漏極連續(xù)電流:

    130 A 電阻汲極/源極

  • RDS(導(dǎo)通):

    0.014 Ohms

  • 配置:

    Single

  • 安裝風(fēng)格:

    Through Hole

  • 封裝/箱體:

    Max247

  • 封裝:

    Tube

供應(yīng)商 型號 品牌 批號 封裝 庫存 備注 價格
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