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FF100R12RT4分立半導(dǎo)體產(chǎn)品晶體管-IGBT-模塊規(guī)格書(shū)PDF中文資料

FF100R12RT4
廠商型號(hào)

FF100R12RT4
參數(shù)屬性

FF100R12RT4 封裝/外殼為模塊；包裝為管件；類(lèi)別為分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - IGBT - 模塊；產(chǎn)品描述：IGBT MOD 1200V 100A 555W
功能描述

34mm Modul mit schnellem Trench/Feldstopp IGBT4 und Emitter Controlled 4 Diode
IGBT MOD 1200V 100A 555W
文件大小

593.07 Kbytes
頁(yè)面數(shù)量

9 頁(yè)
生產(chǎn)廠商 Infineon Technologies AG
企業(yè)簡(jiǎn)稱

Infineon【英飛凌】

中文名稱

英飛凌科技股份公司官網(wǎng)
原廠標(biāo)識(shí)
數(shù)據(jù)手冊(cè)

原廠下載下載地址一下載地址二到原廠下載
更新時(shí)間

2024-11-15 20:00:00

FF100R12RT4規(guī)格書(shū)詳情

FF100R12RT4屬于分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - IGBT - 模塊。英飛凌科技股份公司制造生產(chǎn)的FF100R12RT4晶體管 - IGBT - 模塊絕緣柵雙極晶體管 (IGBT) 是三端功率半導(dǎo)體器件，主要用作電子開(kāi)關(guān)，兼具高效率和快速切換優(yōu)點(diǎn)。作為模塊，IGBT 配置為非對(duì)稱式橋； 升壓、降壓和制動(dòng)斬波器；全橋、三電平和三相逆變器。有些器件內(nèi)置了用于監(jiān)控溫度的 NTC 熱敏電阻。IGBT 模塊可根據(jù)最大功率、集電極電流、集射擊穿電壓和配置進(jìn)行區(qū)分。

產(chǎn)品屬性

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  • 產(chǎn)品編號(hào)：

    FF100R12RT4HOSA1

  • 制造商：

    Infineon Technologies

  • 類(lèi)別：

    分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - IGBT - 模塊

  • 包裝：

    管件

  • IGBT 類(lèi)型：

    溝槽型場(chǎng)截止

  • 配置：

    2 個(gè)獨(dú)立式

  • 不同?Vge、Ic 時(shí)?Vce(on)（最大值）：

    2.15V @ 15V，100A

  • 輸入：

    標(biāo)準(zhǔn)

  • NTC 熱敏電阻：

    無(wú)

  • 工作溫度：

    -40°C ~ 150°C

  • 安裝類(lèi)型：

    底座安裝

  • 封裝/外殼：

    模塊

  • 供應(yīng)商器件封裝：

    模塊

  • 描述：

    IGBT MOD 1200V 100A 555W

供應(yīng)商 型號(hào) 品牌 批號(hào) 封裝 庫(kù)存 備注 價(jià)格
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