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FF150R12KE3G分立半導體產品的晶體管-IGBT-模塊規(guī)格書PDF中文資料
廠商型號 |
FF150R12KE3G |
參數屬性 | FF150R12KE3G 封裝/外殼為模塊;包裝為散裝;類別為分立半導體產品的晶體管-IGBT-模塊;產品描述:IGBT MOD 1200V 225A 780W |
功能描述 | 62mm C-Serien Modul mit Trench/Feldstop IGBT3 und Emitter Controlled High Efficiency Diode |
封裝外殼 | 模塊 |
文件大小 |
425.1 Kbytes |
頁面數量 |
8 頁 |
生產廠商 | Infineon Technologies AG |
企業(yè)簡稱 |
Infineon【英飛凌】 |
中文名稱 | 英飛凌科技股份公司官網 |
原廠標識 | |
數據手冊 | |
更新時間 | 2025-1-20 19:00:00 |
FF150R12KE3G規(guī)格書詳情
FF150R12KE3G屬于分立半導體產品的晶體管-IGBT-模塊。由英飛凌科技股份公司制造生產的FF150R12KE3G晶體管 - IGBT - 模塊絕緣柵雙極晶體管 (IGBT) 是三端功率半導體器件,主要用作電子開關,兼具高效率和快速切換優(yōu)點。作為模塊,IGBT 配置為非對稱式橋; 升壓、降壓和制動斬波器;全橋、三電平和三相逆變器。有些器件內置了用于監(jiān)控溫度的 NTC 熱敏電阻。IGBT 模塊可根據最大功率、集電極電流、集射擊穿電壓和配置進行區(qū)分。
62mm C-series module with the trench/fieldstop IGBT3 and Emitter Controlled High Efficiency diode
產品屬性
更多- 產品編號:
FF150R12KE3GHOSA1
- 制造商:
Infineon Technologies
- 類別:
分立半導體產品 > 晶體管 - IGBT - 模塊
- 系列:
C
- 包裝:
散裝
- IGBT 類型:
溝槽型場截止
- 配置:
單斬波器
- 不同?Vge、Ic 時?Vce(on)(最大值):
2.15V @ 15V,150A
- 輸入:
標準
- NTC 熱敏電阻:
無
- 工作溫度:
-40°C ~ 125°C
- 安裝類型:
底座安裝
- 封裝/外殼:
模塊
- 供應商器件封裝:
模塊
- 描述:
IGBT MOD 1200V 225A 780W
供應商 | 型號 | 品牌 | 批號 | 封裝 | 庫存 | 備注 | 價格 |
---|---|---|---|---|---|---|---|
Infineon/英飛凌 |
23+ |
Module |
1262 |
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EUPEC |
23+ |
NA |
39960 |
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Infineon |
22+ |
9000 |
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Infineon(英飛凌) |
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INFINEON |
23+ |
MODULE |
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INF |
23+ |
主營模塊 |
28000 |
原裝正品 |
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INFINEON/英飛凌 |
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MODULE |
1290 |
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Infineon |
1844+ |
LQFP |
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EUPEC |
23+ |
2IGBT:150A1200V |
5500 |
現貨,全新原裝 |
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INF |
24+ |
8 |
詢價 |