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FF200R12KT3EHOSA1 分立半導(dǎo)體產(chǎn)品晶體管 - IGBT - 模塊 INFINEON/英飛凌

FF200R12KT3EHOSA1參考圖片

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  • 廠家型號：

    FF200R12KT3EHOSA1

  • 產(chǎn)品分類：

    芯片

  • 生產(chǎn)廠商：

    INFINEON

  • 庫存數(shù)量：

    8000

  • 產(chǎn)品封裝：

    PZSDZ

  • 生產(chǎn)批號：

    23+

  • 庫存類型：

    常用庫存

  • 更新時間：

    2025-1-4 15:00:00

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原廠料號：FF200R12KT3EHOSA1品牌：INFINEON

只做原裝現(xiàn)貨

FF200R12KT3EHOSA1是分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - IGBT - 模塊。制造商INFINEON/Infineon Technologies生產(chǎn)封裝PZSDZ/模塊的FF200R12KT3EHOSA1晶體管 - IGBT - 模塊絕緣柵雙極晶體管 (IGBT) 是三端功率半導(dǎo)體器件，主要用作電子開關(guān)，兼具高效率和快速切換優(yōu)點(diǎn)。作為模塊，IGBT 配置為非對稱式橋； 升壓、降壓和制動斬波器；全橋、三電平和三相逆變器。有些器件內(nèi)置了用于監(jiān)控溫度的 NTC 熱敏電阻。IGBT 模塊可根據(jù)最大功率、集電極電流、集射擊穿電壓和配置進(jìn)行區(qū)分。

  • 芯片型號：

    FF200R12KT3EHOSA1

  • 規(guī)格書：

    下載 下載2

  • 企業(yè)簡稱：

    INFINEON【英飛凌】詳情

  • 廠商全稱：

    Infineon Technologies AG

  • 中文名稱：

    英飛凌科技股份公司

產(chǎn)品屬性

更多
  • 類型

    描述

  • 產(chǎn)品編號：

    FF200R12KT3EHOSA1

  • 制造商：

    Infineon Technologies

  • 類別：

    分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - IGBT - 模塊

  • 系列：

    C

  • 包裝：

    散裝

  • 配置：

    2 個獨(dú)立式

  • 不同?Vge、Ic 時?Vce(on)（最大值）：

    2.15V @ 15V，200A

  • 輸入：

    標(biāo)準(zhǔn)

  • NTC 熱敏電阻：

    無

  • 工作溫度：

    -40°C ~ 125°C

  • 安裝類型：

    底座安裝

  • 封裝/外殼：

    模塊

  • 供應(yīng)商器件封裝：

    模塊

  • 描述：

    IGBT MODULE 1200V 1050W

供應(yīng)商

  • 企業(yè)：

    深圳市安富世紀(jì)電子有限公司

  • 商鋪：

    進(jìn)入商鋪

  • 聯(lián)系人：

    趙妍

  • 手機(jī)：

    18100277303

  • 詢價：
  • 電話：

    0755-23991454

  • 地址：

    深圳市福田區(qū)華強(qiáng)北路1019號華強(qiáng)廣場A棟17E

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