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FF225R12ME3分立半導體產品的晶體管-IGBT-模塊規(guī)格書PDF中文資料

FF225R12ME3
廠商型號

FF225R12ME3

參數屬性

FF225R12ME3 封裝/外殼為模塊;包裝為散裝;類別為分立半導體產品的晶體管-IGBT-模塊;產品描述:IGBT MOD 1200V 325A 1150W

功能描述

EconoDUAL module with trench/fieldstop IGBT3 and EmCon High Efficiency diode
IGBT MOD 1200V 325A 1150W

封裝外殼

模塊

文件大小

298.1 Kbytes

頁面數量

8

生產廠商 Infineon Technologies AG
企業(yè)簡稱

Infineon英飛凌

中文名稱

英飛凌科技股份公司官網

原廠標識
數據手冊

下載地址一下載地址二到原廠下載

更新時間

2025-1-21 23:00:00

FF225R12ME3規(guī)格書詳情

FF225R12ME3屬于分立半導體產品的晶體管-IGBT-模塊。由英飛凌科技股份公司制造生產的FF225R12ME3晶體管 - IGBT - 模塊絕緣柵雙極晶體管 (IGBT) 是三端功率半導體器件,主要用作電子開關,兼具高效率和快速切換優(yōu)點。作為模塊,IGBT 配置為非對稱式橋; 升壓、降壓和制動斬波器;全橋、三電平和三相逆變器。有些器件內置了用于監(jiān)控溫度的 NTC 熱敏電阻。IGBT 模塊可根據最大功率、集電極電流、集射擊穿電壓和配置進行區(qū)分。

產品屬性

更多
  • 產品編號:

    FF225R12ME3BOSA1

  • 制造商:

    Infineon Technologies

  • 類別:

    分立半導體產品 > 晶體管 - IGBT - 模塊

  • 系列:

    EconoDUAL?

  • 包裝:

    散裝

  • IGBT 類型:

    溝槽型場截止

  • 配置:

    半橋

  • 不同?Vge、Ic 時?Vce(on)(最大值):

    2.15V @ 15V,225A

  • 輸入:

    標準

  • NTC 熱敏電阻:

  • 工作溫度:

    -40°C ~ 125°C

  • 安裝類型:

    底座安裝

  • 封裝/外殼:

    模塊

  • 供應商器件封裝:

    模塊

  • 描述:

    IGBT MOD 1200V 325A 1150W

供應商 型號 品牌 批號 封裝 庫存 備注 價格
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