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FF225R12ME4

EconoDUAL3 module with trench/fieldstop IGBT4 and Emitter Controlled HE diode and NTC

InfineonInfineon Technologies AG

英飛凌英飛凌科技股份公司

FF225R12ME4_B11

EconoDUAL3 module with Trench/Fieldstop IGBT4 and Emitter Controlled HE diode and PressFIT / NTC

InfineonInfineon Technologies AG

英飛凌英飛凌科技股份公司

FF225R12ME4_B11

EconoDUAL3 Modul mit Trench

InfineonInfineon Technologies AG

英飛凌英飛凌科技股份公司

FF225R12ME4_B11_13

EconoDUAL3 Modul mit Trench

InfineonInfineon Technologies AG

英飛凌英飛凌科技股份公司

FF225R12ME4P

Motor drives

InfineonInfineon Technologies AG

英飛凌英飛凌科技股份公司

FF225R12ME4P_B11

EconoDUAL?? Modul mit Trench/Feldstopp IGBT4 und Emitter Controlled HE Diode und PressFIT / NTC /

InfineonInfineon Technologies AG

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FF225R12ME4B11BPSA2

Package：模塊；包裝：散裝 類別：分立半導體產(chǎn)品 晶體管 - IGBT - 模塊 描述：MEDIUM POWER ECONO AG-ECONOD-411

InfineonInfineon Technologies AG

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FF225R12ME4BOSA1

Package：模塊；包裝：管件 類別：分立半導體產(chǎn)品 晶體管 - IGBT - 模塊 描述：IGBT MOD 1200V 320A 1050W

InfineonInfineon Technologies AG

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FF225R12ME4PB11BPSA1

Package：模塊；包裝：散裝 類別：分立半導體產(chǎn)品 晶體管 - IGBT - 模塊 描述：IGBT MOD 1200V 450A 20MW

InfineonInfineon Technologies AG

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詳細參數(shù)

  • 型號：

    FF225R12ME4

  • 功能描述：

    IGBT 模塊 IGBT 1200V 225A

  • RoHS：

    否

  • 制造商：

    Infineon Technologies

  • 產(chǎn)品：

    IGBT Silicon Modules

  • 配置：

    Dual 集電極—發(fā)射極最大電壓

  • VCEO：

    600 V

  • 集電極—射極飽和電壓：

    1.95 V 在25

  • C的連續(xù)集電極電流：

    230 A

  • 柵極—射極漏泄電流：

    400 nA

  • 功率耗散：

    445 W

  • 最大工作溫度：

    + 125 C

  • 封裝/箱體：

    34MM

供應商型號品牌批號封裝庫存備注價格
Infineon(英飛凌)
23+
標準封裝
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原廠渠道供應,大量現(xiàn)貨,原型號開票。
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N/A
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一級代理,專注軍工、汽車、醫(yī)療、工業(yè)、新能源、電力
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原廠授權(quán)一級代理 IGBT模塊 可控硅 晶閘管 熔斷器質(zhì)保
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主打模塊,大量現(xiàn)貨供應商QQ2355605126
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柒號只做原裝 現(xiàn)貨價秒殺全網(wǎng)
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INFINEON/英飛凌
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IGBT模塊
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原廠授權(quán),一級代理IGBT模塊,可控硅模塊
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詢價
更多FF225R12ME4供應商 更新時間2025-3-30 23:00:00

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