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FF450R17ME4P分立半導體產品的晶體管-IGBT-模塊規(guī)格書PDF中文資料

FF450R17ME4P
廠商型號

FF450R17ME4P

參數(shù)屬性

FF450R17ME4P 封裝/外殼為模塊;包裝為托盤;類別為分立半導體產品的晶體管-IGBT-模塊;產品描述:IGBT MOD 1700V 900A 20MW

功能描述

EconoDUAL?? Modul mit Trench/Feldstopp IGBT4 und Emitter Controlled 3 Diode und NTC / bereits aufgetragenem Thermal Interface Material
IGBT MOD 1700V 900A 20MW

封裝外殼

模塊

文件大小

573.1 Kbytes

頁面數(shù)量

9

生產廠商 Infineon Technologies AG
企業(yè)簡稱

Infineon英飛凌

中文名稱

英飛凌科技股份公司官網

原廠標識
數(shù)據(jù)手冊

原廠下載下載地址一下載地址二到原廠下載

更新時間

2025-1-28 17:45:00

FF450R17ME4P規(guī)格書詳情

FF450R17ME4P屬于分立半導體產品的晶體管-IGBT-模塊。由英飛凌科技股份公司制造生產的FF450R17ME4P晶體管 - IGBT - 模塊絕緣柵雙極晶體管 (IGBT) 是三端功率半導體器件,主要用作電子開關,兼具高效率和快速切換優(yōu)點。作為模塊,IGBT 配置為非對稱式橋; 升壓、降壓和制動斬波器;全橋、三電平和三相逆變器。有些器件內置了用于監(jiān)控溫度的 NTC 熱敏電阻。IGBT 模塊可根據(jù)最大功率、集電極電流、集射擊穿電壓和配置進行區(qū)分。

產品屬性

更多
  • 產品編號:

    FF450R17ME4PBOSA1

  • 制造商:

    Infineon Technologies

  • 類別:

    分立半導體產品 > 晶體管 - IGBT - 模塊

  • 系列:

    EconoDUAL? 3

  • 包裝:

    托盤

  • IGBT 類型:

    溝槽型場截止

  • 配置:

    半橋

  • 不同?Vge、Ic 時?Vce(on)(最大值):

    2.3V @ 15V,450A

  • 輸入:

    標準

  • NTC 熱敏電阻:

  • 工作溫度:

    -40°C ~ 150°C

  • 安裝類型:

    底座安裝

  • 封裝/外殼:

    模塊

  • 供應商器件封裝:

    模塊

  • 描述:

    IGBT MOD 1700V 900A 20MW

供應商 型號 品牌 批號 封裝 庫存 備注 價格
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