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FFSB0865B-F085分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的二極管-整流器-單規(guī)格書(shū)PDF中文資料

FFSB0865B-F085
廠商型號(hào)

FFSB0865B-F085
參數(shù)屬性

FFSB0865B-F085 封裝/外殼為T(mén)O-263-3，D2Pak（2 引線 + 接片），TO-263AB；包裝為管件；類別為分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的二極管-整流器-單；產(chǎn)品描述：650V 8A SIC SBD GEN1.5
功能描述

Silicon Carbide Schottky Diode 650 V, 8 A
650V 8A SIC SBD GEN1.5
絲印標(biāo)識(shí)

FFSB0865B
封裝外殼

D2PAK / TO-263-3，D2Pak（2 引線 + 接片），TO-263AB
文件大小

333.21 Kbytes
頁(yè)面數(shù)量

6 頁(yè)
生產(chǎn)廠商 ON Semiconductor
企業(yè)簡(jiǎn)稱

ONSEMI【安森美半導(dǎo)體】

中文名稱

安森美半導(dǎo)體公司官網(wǎng)
原廠標(biāo)識(shí)
數(shù)據(jù)手冊(cè)

原廠下載下載地址一下載地址二到原廠下載
更新時(shí)間

2025-2-10 20:00:00

FFSB0865B-F085規(guī)格書(shū)詳情

FFSB0865B-F085屬于分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的二極管-整流器-單。由安森美半導(dǎo)體公司制造生產(chǎn)的FFSB0865B-F085二極管 - 整流器 - 單單整流器二極管系列產(chǎn)品可用于讓電流僅沿一個(gè)方向流動(dòng)，并且每個(gè)器件封裝都恰好實(shí)現(xiàn)該功能的一個(gè)實(shí)例。其他用途的二極管（包括齊納二極管和可變電容二極管）單獨(dú)列在各自的產(chǎn)品系列中，每個(gè)器件封裝中包含多個(gè)二極管的產(chǎn)品也是如此。

Silicon Carbide (SiC) Schottky Diodes use a completely new

technology that provides superior switching performance and higher

reliability compared to Silicon. No reverse recovery current,

temperature independent switching characteristics, and excellent

thermal performance sets Silicon Carbide as the next generation of

power semiconductor. System benefits include highest efficiency,

faster operating frequency, increased power density, reduced EMI, and

reduced system size and cost.

Features

? Max Junction Temperature 175°C

? Avalanche Rated 33 mJ

? High Surge Current Capacity

? Positive Temperature Coefficient

? Ease of Paralleling

? No Reverse Recovery / No Forward Recovery

? AEC?Q101 Qualified and PPAP Capable

? These Devices are Pb?Free, Halogen Free/BFR Free and are RoHS Compliant

Applications

? Automotive HEV?EV Onboard Chargers

? Automotive HEV?EV DC?DC Converters

產(chǎn)品屬性

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  • 產(chǎn)品編號(hào)：

    FFSB0865B-F085

  • 制造商：

    onsemi

  • 類別：

    分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 二極管 - 整流器 - 單

  • 包裝：

    管件

  • 二極管類型：

    碳化硅肖特基

  • 電流 - 平均整流 (Io)：

    10.1A

  • 速度：

    無(wú)恢復(fù)時(shí)間 > 500mA（Io）

  • 不同?Vr、F 時(shí)電容：

    336pF @ 1V，100kHz

  • 安裝類型：

    表面貼裝型

  • 封裝/外殼：

    TO-263-3，D2Pak（2 引線 + 接片），TO-263AB

  • 供應(yīng)商器件封裝：

    D2PAK-2（TO-263-2）

  • 工作溫度 - 結(jié)：

    -55°C ~ 175°C

  • 描述：

    650V 8A SIC SBD GEN1.5

供應(yīng)商 型號(hào) 品牌 批號(hào) 封裝 庫(kù)存 備注 價(jià)格
ON/安森美
23+
NA/
1022
優(yōu)勢(shì)代理渠道,原裝正品,可全系列訂貨開(kāi)增值稅票
 詢價(jià)
ON
21+
NA
3000
進(jìn)口原裝 假一罰十 現(xiàn)貨
 詢價(jià)
ON/安森美
23+
NA
640
電子元器件供應(yīng)原裝現(xiàn)貨. 優(yōu)質(zhì)獨(dú)立分銷。原廠核心渠道
 詢價(jià)
FAIRCHILDONSEMICONDUCTOR
1845
30
原裝現(xiàn)貨支持BOM配單服務(wù)
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ON
22+
NA
3200
原裝正品支持實(shí)單
 詢價(jià)
onsemi(安森美)
23+
D2PAK
7350
現(xiàn)貨供應(yīng),當(dāng)天可交貨!免費(fèi)送樣,原廠技術(shù)支持!!!
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23+
原廠原封
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訂貨1周 原裝正品
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TO-263-2
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