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FFSD08120A_V01

Silicon Carbide (SiC) Schottky Diode – EliteSiC, 8 A, 1200 V, D1, DPAK-3L

Description SiliconCarbide(SiC)SchottkyDiodesuseacompletelynew technologythatprovidessuperiorswitchingperformanceandhigher reliabilitycomparedtoSilicon.Noreverserecoverycurrent, temperatureindependentswitchingcharacteristics,andexcellent thermalperformancesetsSil

ONSEMION Semiconductor

安森美半導(dǎo)體安森美半導(dǎo)體公司

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DPAK-3 / TO-252-3
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更多FFSD08120A_V01供應(yīng)商 更新時間2024-2-28 14:38:00
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