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FGA15N120ANTDTU分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-UGBT、MOSFET-單規(guī)格書PDF中文資料
| 廠商型號(hào) |
FGA15N120ANTDTU |
| 參數(shù)屬性 | FGA15N120ANTDTU 封裝/外殼為TO-3P-3，SC-65-3；包裝為管件；類別為分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-UGBT、MOSFET-單；產(chǎn)品描述：IGBT 1200V 30A 186W TO3P |
| 功能描述 | 1200 V, 15 A NPT Trench IGBT |
| 文件大小 |
907.45 Kbytes |
| 頁(yè)面數(shù)量 |
9 頁(yè) |
| 生產(chǎn)廠商 | ON Semiconductor |
| 企業(yè)簡(jiǎn)稱 |
ONSEMI【安森美半導(dǎo)體】 |
| 中文名稱 | 安森美半導(dǎo)體公司官網(wǎng) |
| 原廠標(biāo)識(shí) |  |
| 數(shù)據(jù)手冊(cè) | |
| 更新時(shí)間 | 2024-12-23 10:39:00 |
FGA15N120ANTDTU規(guī)格書詳情
FGA15N120ANTDTU屬于分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-UGBT、MOSFET-單。由安森美半導(dǎo)體公司制造生產(chǎn)的FGA15N120ANTDTU晶體管 - UGBT、MOSFET - 單單 IGBT（絕緣柵雙極晶體管）是一種具有三個(gè)端子的多層半導(dǎo)體器件，能夠處理大電流，具有快速開(kāi)關(guān)特性。其特征參數(shù)包括類型、集射極擊穿電壓、集電極電流、脈沖集電極電流、VCE(ON)、開(kāi)關(guān)能量和柵極電荷。
產(chǎn)品屬性
更多- 產(chǎn)品編號(hào)：
FGA15N120ANTDTU
- 制造商：
onsemi
- 類別：
分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - UGBT、MOSFET - 單
- 包裝：
管件
- IGBT 類型：
NPT 和溝道
- 不同?Vge、Ic 時(shí)?Vce(on)（最大值）：
2.4V @ 15V，15A
- 開(kāi)關(guān)能量：
3mJ（開(kāi)），600μJ（關(guān)）
- 輸入類型：
標(biāo)準(zhǔn)
- 25°C 時(shí) Td（開(kāi)/關(guān)）值：
15ns/160ns
- 測(cè)試條件：
600V，15A，10 歐姆，15V
- 工作溫度：
-55°C ~ 150°C（TJ）
- 安裝類型：
通孔
- 封裝/外殼：
TO-3P-3，SC-65-3
- 供應(yīng)商器件封裝：
TO-3P
- 描述：
IGBT 1200V 30A 186W TO3P
| 供應(yīng)商 | 型號(hào) | 品牌 | 批號(hào) | 封裝 | 庫(kù)存 | 備注 | 價(jià)格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
FSC |
2023+ |
TO-3P |
5800 |
進(jìn)口原裝,現(xiàn)貨熱賣 |
詢價(jià) | ||
ON/安森美 |
22+ |
TO-3P |
14100 |
原裝正品 |
詢價(jià) | ||
安森美 |
21+ |
12588 |
原裝現(xiàn)貨,價(jià)格優(yōu)勢(shì) |
詢價(jià) | |||
FSC |
08+ |
TO-3P |
14400 |
全新原裝 絕對(duì)有貨 |
詢價(jià) | ||
Fairchild/ON |
22+ |
TO3P |
9000 |
原廠渠道,現(xiàn)貨配單 |
詢價(jià) | ||
Fairchild/ON |
21+ |
TO3P |
13880 |
公司只售原裝,支持實(shí)單 |
詢價(jià) | ||
FAIRCHILD |
23+ |
TO-3P |
7860 |
正品原裝貨價(jià)格低qq:2987726803 |
詢價(jià) | ||
onsemi(安森美) |
23+ |
TO-3P |
10000 |
只做原裝 假一賠萬(wàn) |
詢價(jià) | ||
FAIRCHILD/仙童 |
24+ |
TO-3P |
1761 |
原裝現(xiàn)貨假一罰百 |
詢價(jià) | ||
FAIRCHI |
23+ |
TO-3P |
6688 |
原包裝原標(biāo)簽特價(jià)銷售 |
詢價(jià) |
