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FGA25N120ANTDTU分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-UGBT、MOSFET-單規(guī)格書PDF中文資料

FGA25N120ANTDTU
廠商型號

FGA25N120ANTDTU

參數(shù)屬性

FGA25N120ANTDTU 封裝/外殼為TO-3P-3,SC-65-3;包裝為卷帶(TR)剪切帶(CT)Digi-Reel? 得捷定制卷帶;類別為分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-UGBT、MOSFET-單;產(chǎn)品描述:IGBT NPT/TRENCH 1200V 50A TO3P

功能描述

1200 V, 25 A NPT Trench IGBT
IGBT NPT/TRENCH 1200V 50A TO3P

封裝外殼

TO-3P-3,SC-65-3

文件大小

1.38861 Mbytes

頁面數(shù)量

9

生產(chǎn)廠商 ON Semiconductor
企業(yè)簡稱

ONSEMI安森美半導(dǎo)體

中文名稱

安森美半導(dǎo)體公司官網(wǎng)

原廠標(biāo)識
數(shù)據(jù)手冊

原廠下載下載地址一下載地址二到原廠下載

更新時(shí)間

2025-2-1 23:00:00

FGA25N120ANTDTU規(guī)格書詳情

FGA25N120ANTDTU屬于分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-UGBT、MOSFET-單。由安森美半導(dǎo)體公司制造生產(chǎn)的FGA25N120ANTDTU晶體管 - UGBT、MOSFET - 單單 IGBT(絕緣柵雙極晶體管)是一種具有三個(gè)端子的多層半導(dǎo)體器件,能夠處理大電流,具有快速開關(guān)特性。其特征參數(shù)包括類型、集射極擊穿電壓、集電極電流、脈沖集電極電流、VCE(ON)、開關(guān)能量和柵極電荷。

產(chǎn)品屬性

更多
  • 產(chǎn)品編號:

    FGA25N120ANTDTU

  • 制造商:

    onsemi

  • 類別:

    分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - UGBT、MOSFET - 單

  • 包裝:

    卷帶(TR)剪切帶(CT)Digi-Reel? 得捷定制卷帶

  • IGBT 類型:

    NPT 和溝道

  • 不同?Vge、Ic 時(shí)?Vce(on)(最大值):

    2.65V @ 15V,50A

  • 開關(guān)能量:

    4.1mJ(開),960μJ(關(guān))

  • 輸入類型:

    標(biāo)準(zhǔn)

  • 25°C 時(shí) Td(開/關(guān))值:

    50ns/190ns

  • 測試條件:

    600V,25A,10 歐姆,15V

  • 工作溫度:

    -55°C ~ 150°C(TJ)

  • 安裝類型:

    通孔

  • 封裝/外殼:

    TO-3P-3,SC-65-3

  • 供應(yīng)商器件封裝:

    TO-3P

  • 描述:

    IGBT NPT/TRENCH 1200V 50A TO3P

供應(yīng)商 型號 品牌 批號 封裝 庫存 備注 價(jià)格
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